[發明專利]后柵工藝中電極和連線的制造方法

無效

• 申請號: 201110263768.4
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN102983098A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 楊濤;趙超;李俊峰;閆江;賀曉彬;盧一泓
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種后柵工藝中柵電極和接觸連線的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上的層間介質層中形成柵極溝槽；

在柵極溝槽中以及層間介質層上形成填充層；

刻蝕填充層以及層間介質層直至露出襯底，形成源漏接觸孔；

去除填充層，露出柵極溝槽以及源漏接觸孔；

在源漏接觸孔中形成金屬硅化物；

在柵極溝槽中沉積柵極介質層和金屬柵；

在柵極溝槽以及源漏接觸孔中填充金屬；

平坦化填充的金屬。

2.如權利要求1的方法，其中，形成柵極溝槽的步驟包括在襯底上形成假柵、在假柵周圍形成側墻、在假柵和側墻上形成層間介質層，以及層間介質層CMP平坦化露出假柵并去除假柵。

3.如權利要求1的方法，其中形成填充層之后還包括在填充層上形成硬掩模層。

4.如權利要求3的方法，其中，硬掩模層為低溫氧化物。

5.如權利要求1的方法，其中，填充層厚度大于柵極溝槽深度。

6.如權利要求5的方法，其中，多次旋涂形成填充層以避免孔洞。

7.如權利要求1的方法，其中，填充層材料具有流動性，并具有與層間介質層相近的刻蝕速率。

8.如權利要求7的方法，其中，填充層為抗反射涂層。

9.如權利要求1的方法，其中，填充金屬的步驟包括依次填充粘接層、阻擋層以及金屬層。

10.如權利要求9的方法，其中，粘接層包括Ti、Ta或TiN、TaN，阻擋層包括TiN、TaN或Ti、Ta，金屬層包括W、Al、Cu、Ti、Ta及其組合。

11.如權利要求1的方法，其中，形成金屬硅化物的步驟包括：形成光刻膠圖形以僅露出源漏接觸孔，在源漏接觸孔中沉積金屬前驅物，退火使得金屬前驅物與襯底中的硅反應形成金屬硅化物，去除光刻膠圖形。

12.如權利要求11的方法，其中，金屬前驅物包括Ni、Pt、Co及其合金。

13.如權利要求11的方法，其中，在400℃下退火30秒。

14.如權利要求1的方法，其中，柵極介質層包括氧化硅、氮氧化硅或高k材料，金屬柵包括Ti、Ta、TiN、TaN。