[發明專利]碲化鎘薄膜沉積的蒸發源及其制備方法

無效

• 申請號: 201110263471.8
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN102978573A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 蔣猛;劉志強
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司;四川尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

1.一種蒸發源的制備方法，所述蒸發源用于制備碲化鎘薄膜太陽電池的碲化鎘薄膜，其特征在于，該方法包括以下步驟：

（1）按比例混合形成包括鎘金屬粉末和碲單質粉末的粉末混合物；

（2）將所述粉末混合物平鋪于熱蒸發設備的熱蒸發源上；以及

（3）在500℃至900℃的溫度條件下蒸鍍至平整的蒸發源襯底上形成碲化鎘化合物。

2.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎘金屬粉末和碲單質粉末的粒徑均小于或等于100目。

3.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，在混合前或混合后還包括篩選過程，以使所述鎘金屬粉末和碲單質粉末的粒徑均小于或等于100目。

4.?如權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，先按比例混合金屬鎘和單質碲、再粉碎所述金屬鎘和單質碲以形成所述粉末混合物。

5.?如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述金屬鎘的純度大于或等于99.99%，所述單質碲的純度大于或等于99.99%。

6.?如權利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，分別粉碎金屬鎘和單質碲以相應形成所述鎘金屬粉末和碲單質粉末、再按比例混合所述鎘金屬粉末和碲單質粉末以形成所述粉末混合物。

7.?如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，鎘金屬粉末的純度大于或等于99.99%，所述碲單質粉末的純度大于或等于99.99%。

8.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎘金屬粉末和碲單質粉末的化學計量比的范圍為1:2至2:1。

9.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎘金屬粉末和碲單質粉末的化學計量比為1:1.1，所述碲化鎘化合物為富碲的多晶碲化鎘。

10.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎘金屬粉末和碲單質粉末的化學計量比為1:1，所述碲化鎘化合物為未摻雜的多晶碲化鎘。

11.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，平鋪的所述粉末混合物的厚度的范圍為1毫米至10毫米。

12.?如權利要求1或11所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，平鋪的所述粉末混合物的厚度差在1毫米之內。

13.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中在真空條件或惰性氣體氣氛條件下完成。

14.?如權利要求1或13所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述粉末混合物通過兩段式升溫實現500℃至900℃的溫度條件，其中，第一段為升溫至350-450℃溫度范圍、并保溫10至25分鐘，第二段為升溫至500℃-900℃溫度范圍。

15.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述粉末混合物通過一段式升溫直接實現500℃至900℃的溫度條件。

16.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述蒸發源襯底相向于所述粉末混合物的一面的平整度小于或等于±0.5毫米。

17.?如權利要求1或16所述的制備方法，其特征在于，所述蒸發源襯底為石墨板或石英板。

18.?一種蒸發源，其特征在于，包括：

蒸發源襯底；以及

碲化鎘化合物層，其應用如權利要求1-15任一項所述的方法制備形成于所述蒸發源襯底之上。

19.?如權利要求18所述的蒸發源，其特征在于，所述蒸發源襯底相向于所述粉末混合物的一面的平整度小于或等于±0.5毫米。

20.?如權利要求18所述的蒸發源，其特征在于，所述蒸發源襯底為石墨板或石英板。

21.?如權利要求18所述的蒸發源，其特征在于，所述蒸發源在近空間升華法中被應用以制備碲化鎘薄膜太陽電池的碲化鎘薄膜。