[發明專利]硅片方陣結構無效
| 申請號： | 201110262207.2 | 申請日： | 2011-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN102983187A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 姜海林 | 申請（專利權）人： | 揚州天華光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/045 | 分類號： | H01L31/045;G05D3/00 |
| 代理公司： | 北京連和連知識產權代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡寶 |
| 地址： | 225653 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 方陣 結構 | ||
【權利要求書】：
1.硅片方陣結構，其特征在于，包括中間硅片方陣和設置在中間硅片四角的四個硅片方陣，中間硅片方陣設置在升降支架上，四角的四個硅片方陣通過彎折機構連接在中間硅片方陣上。
2.根據權利要求1所述的硅片方陣結構，其特征在于，所述升降支架和彎折機構連接一控制器，控制器內設有控制彎折機構運動的微調機構。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于揚州天華光電科技有限公司，未經揚州天華光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110262207.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：Fe-Ce中間合金中鐵含量的測定方法
- 下一篇：一種煤氣泄漏的報警方法及系統
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
