[發(fā)明專(zhuān)利]半模基片集成波導(dǎo)與槽線(xiàn)混合的定向耦合器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110262017.0
• 申請(qǐng)日: 2011-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102361150A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程鈺間;樊勇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01P5/18
• 分類(lèi)號(hào): H01P5/18
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專(zhuān)利中心 51203
• 代理人: 周永宏

1.一種半模基片集成波導(dǎo)與槽線(xiàn)混合的定向耦合器，包括從上往下依次層疊的第一金 屬覆銅層(1)、介質(zhì)層(4)、第二金屬覆銅層(2)、第二介質(zhì)層(5)和第三金屬覆銅層(3)， 所述第一金屬覆銅層(1)包括一組半模基片集成波導(dǎo)上表區(qū)域(11)、位于半模基片集成 波導(dǎo)上表區(qū)域(11)兩側(cè)并與之連接的梯形過(guò)渡結(jié)構(gòu)(12)、位于半模基片集成波導(dǎo)上表區(qū) 域(11)兩側(cè)并與梯形過(guò)渡結(jié)構(gòu)(12)連接的微帶線(xiàn)(13)、位于半模基片集成波導(dǎo)上表區(qū) 域(11)上的一排金屬化通孔(41)，所述金屬化通孔(41)貫穿了半模基片集成波導(dǎo)上表 區(qū)域(11)和介質(zhì)層(4)與第二金屬覆銅層(2)連接，形成一路半模基片集成波導(dǎo)，其 特征在于，所述第二金屬覆銅層(2)對(duì)應(yīng)于半模基片集成波導(dǎo)的位置內(nèi)具有貫穿第二金屬 覆銅層(2)的槽(21)，所述第三金屬覆銅層(3)對(duì)應(yīng)于貫穿第二金屬覆銅層(2)的槽 (21)的位置的靠近兩端處具有兩組扇形結(jié)構(gòu)(31)和與扇形結(jié)構(gòu)(31)連接的第三金屬 覆銅層微帶線(xiàn)(32)，所述扇形結(jié)構(gòu)(31)和與之連接的第三金屬覆銅層微帶線(xiàn)(32)交于 槽(21)在第三金屬覆銅層(3)上的垂直投影區(qū)域內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半模基片集成波導(dǎo)與槽線(xiàn)混合的定向耦合器，其特征在 于，所述定向耦合器的半模基片集成波導(dǎo)上表區(qū)域(11)開(kāi)路一側(cè)(孔41下方)延伸形成 隔離金屬覆銅區(qū)域(14)，所述隔離金屬覆銅區(qū)域(14)與半模基片集成波導(dǎo)上表區(qū)域(11) 通過(guò)隔離縫(15)分離開(kāi)，所述隔離金屬覆銅區(qū)域(14)上具有一排與金屬化通孔(41) 平行的隔離金屬化通孔(42)，所述隔離金屬化通孔(42)貫穿了隔離金屬覆銅區(qū)域(14) 和介質(zhì)層(4)與第二金屬覆銅層(2)連接。