[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110261992.X
• 申請(qǐng)日: 2011-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN102403337A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中谷清史;平野哲郎;藤原秀二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安森美半導(dǎo)體貿(mào)易公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層、

在所述半導(dǎo)體層中形成的第一導(dǎo)電型的漂移層、

在所述漂移層中形成的第一導(dǎo)電型的漏極層、

在離開所述漂移層的所述半導(dǎo)體層中形成的第二導(dǎo)電型的基極層、

在所述基極層中形成的中心部具有多個(gè)開口部的第一導(dǎo)電型的源極層、

填入所述開口部而形成的第二導(dǎo)電型接觸層、

在所述基極層上從所述源極層的端部延伸至所述半導(dǎo)體層的柵極絕緣膜、

在所述柵極絕緣膜上形成的柵極電極，

從填入有所述接觸層的所述開口部的端部到所述源極層的端部的距離是隨著該距離的增加而增大的靜電放電耐受程度開始飽和時(shí)的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，等間隔地設(shè)有多個(gè)所述開口部。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，與所述接觸層連續(xù)的第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層從所述開口部的端部延伸到所述開口部周圍的所述源極層下部的所述基極層內(nèi)而形成延伸部，所述延伸部在所述多個(gè)開口部之間連接。