[發(fā)明專利]SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110261934.7 | 申請日: | 2011-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN102424596A | 公開(公告)日: | 2012-04-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李金平;張宇民;劉時強(qiáng);孟松鶴;韓杰才 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/81 | 分類號: | C04B35/81;C04B35/80;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 韓末洙 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sic 納米 顆粒 混雜 zrc 超高溫 陶瓷 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料,其特征在于SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料由SiC納米顆粒、SiC晶須和ZrC基體制成;SiC納米顆粒和SiC晶須作為增強(qiáng)相存在于ZrC基體中,SiC納米顆粒的體積百分含量為5%~15%,SiC晶須的體積百分含量為5%~15%,ZrC基體的體積百分含量為70%~90%。
2.SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料,其特征在于SiC納米顆粒的體積百分含量為8%~12%,SiC晶須的體積百分含量為8%~12%,ZrC基體的體積百分含量為76%~84%。
3.如權(quán)利要求1所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法按以下步驟進(jìn)行:一、按體積百分比稱取5%~15%的SiC納米顆粒、5%~15%的SiC晶須和70%~90%的ZrC粉末;二、按SiC晶須與無水乙醇的質(zhì)量體積比為1g∶5mL~35mL的比例將步驟一稱取的SiC晶須加入到無水乙醇中,然后用超聲波處理3min~10min,得到分散均勻的SiC晶須;三、將經(jīng)步驟二得到的分散均勻的SiC晶須與步驟一稱取的SiC納米顆粒和ZrC粉末混合后,加入到球磨機(jī)中,以無水乙醇作為分散劑,ZrO2球作為球磨介質(zhì),球料質(zhì)量比為5~8∶1,在轉(zhuǎn)速為100~300轉(zhuǎn)/分的條件下球磨5h~20h,得到漿料;四、采用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器將步驟三得到的漿料烘干,得到混合粉;五、將步驟四得到的混合粉裝入石墨模具中,再將石墨模具放入真空熱壓爐中,通入氬氣保護(hù),在溫度為1800℃~2100℃、壓力為10MPa~30MPa的條件下保溫30min~60min,然后撤壓、隨爐冷卻,得到SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料;其中步驟一中SiC晶須的純度≥99.5%,直徑為0.1μm~1.0μm,長度為50μm~200μm,SiC納米顆粒的純度≥99.5%,粒徑為60nm;步驟一中ZrC粉末的純度≥99%,粒徑為3μm~5μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟一中按體積百分比稱取7%~13%的SiC納米顆粒、7%~13%的SiC晶須和74%~86%的ZrC粉末。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟二中SiC晶須與無水乙醇的質(zhì)量體積比為1g∶10mL~30mL。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟二中超聲波處理時間為4min~8min。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟三中球料質(zhì)量比為6~7∶1。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟三球磨轉(zhuǎn)速為120~280轉(zhuǎn)/分,球磨時間為6h~18h。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟四中石墨模具內(nèi)壁及兩端涂一層BN,并在試樣兩端墊有石墨紙。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的SiC納米顆粒及SiC晶須混雜增韌ZrC基超高溫陶瓷復(fù)合材料的制備方法,其特征在于步驟四中在溫度為1850℃~2050℃、壓力為12MPa~28MPa的條件下保溫35min~55min。
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