[發(fā)明專利]LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110261930.9
• 申請日: 2011-09-06
• 公開（公告）號: CN102339864A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉建華;吳曉麗;楊金
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底；

覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的外延層；

位于所述外延層上的相鄰接的柵介質(zhì)層和場氧化層；

柵電極，覆蓋所述柵介質(zhì)層并延伸至所述場氧化層上；

位于所述柵電極一側(cè)的外延層中的體區(qū)；

位于所述體區(qū)中的源區(qū)；

位于所述柵電極另一側(cè)的外延層中的漏區(qū)；

其特征在于，還包括：

位于所述源區(qū)上方的導(dǎo)電場板，所述導(dǎo)電場板通過通孔與所述源區(qū)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電場板位于第一層金屬層中，所述導(dǎo)電場板的材料為金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電場板延伸至所述場氧化層上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電場板與所述場氧化層重疊區(qū)域的寬度為3.6～4.0μm。

5.一種LDMOS晶體管的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延層；

在所述外延層上形成場氧化層；

對所述外延層進(jìn)行離子注入，以在其中形成體區(qū)；

在所述體區(qū)和場氧化層之間的外延層上形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層與所述場氧化層相鄰接；

在所述柵介質(zhì)層上形成柵電極，所述柵電極還延伸至所述場氧化層上；

對所述外延層進(jìn)行離子注入，以在所述體區(qū)中形成源區(qū)，在所述柵電極的相對于體區(qū)的另一側(cè)的外延層中形成漏區(qū)；

其特征在于，還包括：

形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋所述柵電極、場氧化層和外延層；

在所述源區(qū)上方的層間介質(zhì)層中形成通孔；

在所述層間介質(zhì)層上形成導(dǎo)電場板，所述導(dǎo)電場板通過所述通孔與所述源區(qū)電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電場板的形成方法包括：

在所述層間介質(zhì)層上沉積金屬層；

對所述金屬層進(jìn)行圖形化，形成所述導(dǎo)電場板。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電場板延伸至所述場氧化層上方。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電場板與所述場氧化層重疊區(qū)域的寬度為3.6～4.0μm。