[發(fā)明專利]一種球狀體光耦傳輸介質(zhì)的成型方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110261913.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102437154A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 席亞莉;孟彬;韓新娜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L25/16 | 分類號(hào): | H01L25/16;G02B6/42 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 陸萬壽 |
| 地址: | 710054 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 球狀 體光耦 傳輸 介質(zhì) 成型 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種在同一平面上的發(fā)光管與光敏管之間,通過球狀體傳輸介質(zhì)進(jìn)行光傳輸?shù)姆椒ā?/p>
背景技術(shù):
混合集成電路中使用的光耦,其結(jié)構(gòu)主要為縱向結(jié)構(gòu),發(fā)光管與光敏管面對(duì)面(發(fā)光管的正極正對(duì)光敏管的發(fā)射極)組裝形式復(fù)雜,傳輸比調(diào)試依靠移動(dòng)發(fā)光管與光敏管之間的位置,工藝繁瑣,操作難度較大,傳輸比一致性差,且易導(dǎo)致電路光敏管和發(fā)光管的鍵合點(diǎn)受到損傷,影響光耦的長期可靠性。
發(fā)明內(nèi)容:
本著簡化工藝,提高生產(chǎn)效率,提高傳輸比一致性的目的,我們發(fā)明了一種新型球狀體光耦傳輸介質(zhì)的成型方法。該工藝方法操作簡單,球狀體介質(zhì)對(duì)鍵合絲無應(yīng)力、便于操作,完全避免了縱向結(jié)構(gòu)光耦操作繁瑣、鍵合絲易受到應(yīng)力和損傷的隱患,且制作的平面光耦傳輸比一致性好,可作為獨(dú)立元器件進(jìn)行篩選老練,滿足高等級(jí)質(zhì)量要求。
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種球狀體光耦傳輸介質(zhì)的成型方法,首先,將球狀體一端固定在基板上;其次,在基板上設(shè)置發(fā)光管和光敏管;然后,按照設(shè)計(jì)要求的傳輸比的范圍,選定球狀體成型的位置,并在80℃~150℃的溫度下進(jìn)行滴涂一次成型,制作成球狀體光耦傳輸介質(zhì)。
所述球狀體由雙組分的絕緣膠構(gòu)成。
所述球狀體高度為0.5mm~1.5mm。
所述球狀體直徑為2.0mm~3.5mm。
本發(fā)明的有益效果在于:
在光耦的組裝過程中為了滿足設(shè)計(jì)傳輸比的要求,一方面通過改變發(fā)光管與光敏管之間的傳輸介質(zhì),另一方面通過改變發(fā)光管與光敏管之間的相對(duì)位置,操作復(fù)雜,易造成鍵合絲損傷,影響光耦長期可靠性。本方法操作簡單,一次性完成發(fā)光管與光敏管之間光的傳輸,傳輸比一致性比較好,避免組裝過程中傳輸比調(diào)試,提高了光耦可靠性。
采用球狀體成型方法制作的平面結(jié)構(gòu)光耦,可作為獨(dú)立元器件經(jīng)過篩選試驗(yàn)合格后粘接在混合電路中,減少混合電路的返工次數(shù),提高生產(chǎn)效率。
附圖說明:
圖1為本發(fā)明的平面光耦球狀體結(jié)構(gòu)剖面圖;
其中:1為基板;2為球狀體;3為發(fā)光管;4為光敏管。
具體實(shí)施方式:
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述:
參見圖1,該成型工藝方法是在組裝在同一平面上的發(fā)光管與光敏管之間,實(shí)現(xiàn)光敏管與發(fā)光管之間的電-光-電的轉(zhuǎn)換。首先對(duì)雙組分的絕緣膠進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐浔龋缓笤诮M裝完成的厚膜基板上,按照設(shè)計(jì)要求的傳輸比的范圍,選定球狀體成型的位置,然后在(80℃~150℃)一定的溫度下,利用自制工具進(jìn)行滴涂一次成型,制作高度(0.5mm~1.5mm)直徑(2.0mm~3.5mm)適中的球狀體介質(zhì),通過球面的漫反射實(shí)現(xiàn)光的傳輸及電-光-電的轉(zhuǎn)換。平面光耦球狀體結(jié)構(gòu)剖面圖如圖一所示。
采用此工藝方法組裝的平面光耦,經(jīng)過125℃1000h加電老煉試驗(yàn)后,光耦管芯鍵合強(qiáng)度滿足GJB548B方法2011要求,電流傳輸比(CTR):≥100%,輸入輸出絕緣強(qiáng)度:≥500MΩ(測(cè)試電壓直流1000V),電性能指標(biāo)滿足電路的要求。
在我所承擔(dān)的某型號(hào)混合電路中所用到光耦器件,采用縱向組裝方式,將光敏管粘接在厚膜基板上進(jìn)行進(jìn)行鍵合絲互連,然后將鍵合完的發(fā)光管采用光導(dǎo)膠固定在光敏管表面,依靠移動(dòng)發(fā)光管的位置進(jìn)行傳輸比的調(diào)試,操作復(fù)雜,移動(dòng)過程中易造成鍵合絲損傷。采用球狀體成型工藝方法組裝的平面光耦直接粘接在混合電路中,電路通過質(zhì)量一致性鑒定試驗(yàn)的考核。
提出專利申請(qǐng)的理由是由于球狀體成型方法在光電混合集成電路一體化的發(fā)展行業(yè)的應(yīng)用前景較大,因此將球狀體光耦傳輸介質(zhì)的成型方法作為專用技術(shù)進(jìn)行推廣,從技術(shù)上先給予法律保護(hù)。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施方式僅限于此,對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單的推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定專利保護(hù)范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所,未經(jīng)中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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