[發明專利]生產多晶硅的方法

有效

• 申請號: 201110261807.7
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102381709A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: M·舍費爾;O·克雷奇馬爾
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C01B33/03
• 分類號: C01B33/03
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.生產多晶硅的方法，其包括通過一個或多個噴嘴將反應氣引入到反應器中，所述反應氣包括含硅組分和氫氣，所述反應器包括至少一個在其上沉積硅的加熱細絲棒，其中阿基米德數Ar_n作為填充水平FL的函數描述反應器中的流動條件，FL表示棒體積相對空反應器體積的百分比例，對于至多5％的填充水平FL，所述阿基米德數Ar_n在下限由函數Ar＝2000×FL^-0.6限定而上限由函數Ar＝17?000×FL^-0.9限定的范圍內，對于高于5％的填充水平，所述阿基米德數Ar_n為至少750～最高4000。

2.權利要求1的方法，其中阿基米德數下降到4.5～5.5％的填充水平，并在更高的填充水平時保持恒定。

3.權利要求1的方法，其中阿基米德數下降到6.5-7.5％的填充水平，然后保持恒定，并且從超過4.5％的填充水平開始比1～3％的填充水平時下降程度更大。

4.權利要求1的方法，其中阿基米德數下降到4.5～5.5％的填充水平，并且在更高的填充水平時上升。

5.權利要求1～4任一的方法，其中反應器體積由壁溫為300K～700K的壁所限定。

6.權利要求1～4任一的方法，其中在面向反應器壁的至少一個棒的側面上、并在該至少一個棒的長度的一半高度處測得的溫度為1150K～1600K。

7.權利要求1～6任一的方法，其中硅沉積后從反應器中取出所述至少一個棒并進行機械加工產生硅塊。

8.通過權利要求1～6任一的方法生產的多晶硅用于通過區熔生產單個硅晶體的用途。

9.通過權利要求1～7任一的方法生產的多晶硅用于通過使用Czochralski法晶體拉制生產單個硅晶體的用途。

10.通過權利要求1～7任一的方法生產的多晶硅用于通過塊鑄生產硅晶體的用途。