[發明專利]小尺寸鰭形結構的制造方法有效
| 申請號： | 201110261527.6 | 申請日： | 2011-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN102983073A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 楊濤;趙超;李俊峰;盧一泓 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/308 | 分類號： | H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 尺寸 結構 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種小尺寸鰭形結構的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上依次形成第一掩模層和第二掩模層；
刻蝕第一掩模層和第二掩模層形成硬掩模圖形，其中第二掩模層圖形比第一掩模層圖形寬；
去除第二掩模層圖形；
以第一掩模層圖形為掩模，干法刻蝕襯底，形成鰭形結構。
2.如權利要求1的方法，其中，先干法刻蝕形成硬掩模圖形且使得第二掩模層圖形與第一掩模層圖形等寬，然后濕法腐蝕第一掩模層圖形使得第二掩模層圖形比第一掩模層圖形寬。
3.如權利要求1的方法，其中，第一掩模層和/或第二掩模層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。
4.如權利要求2或3的方法，其中，濕法腐蝕的腐蝕液包括DHF、BOE、熱磷酸、H2O2。
5.如權利要求1的方法，其中，襯底包括單晶硅、SOI、單晶鍺、GeOI、SiGe、SiC、InSb、GaAs、GaN。
6.如權利要求1的方法，其中，襯底晶向依照載流子遷移率控制而不同。
7.如權利要求1的方法，其中，第一掩模層圖形和/或鰭形結構的寬度小于等于100
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
