[發(fā)明專利]成膜裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110261141.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102383110A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤壽;岡部庸之;本間學(xué);熊谷武司;竹內(nèi)靖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置,該成膜裝置在容器內(nèi)向基板依次供給彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體,層疊該兩種反應(yīng)氣體的反應(yīng)生成物的層而形成薄膜,
該成膜裝置包括:
第1旋轉(zhuǎn)臺(tái),其能旋轉(zhuǎn)地設(shè)于上述容器內(nèi),包括能分別載置直徑為300mm的基板的10個(gè)以上的基板載置區(qū)域;
第1反應(yīng)氣體供給部,其配置在上述容器內(nèi)的第1區(qū)域內(nèi),沿與上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向相交的方向延伸,向上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)供給第1反應(yīng)氣體;
第2反應(yīng)氣體供給部,其配置在沿上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上述旋轉(zhuǎn)方向與上述第1區(qū)域分開的第2區(qū)域內(nèi),沿與上述旋轉(zhuǎn)方向相交的方向延伸,向上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)供給第2反應(yīng)氣體;
第1排氣口,其設(shè)于上述第1區(qū)域;
第2排氣口,其設(shè)于上述第2區(qū)域;
分離區(qū)域,其配置在上述第1區(qū)域與上述第2區(qū)域之間,包括分離氣體供給部和頂面,該分離氣體供給部噴出用于分離上述第1反應(yīng)氣體與上述第2反應(yīng)氣體的分離氣體,在該頂面與上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)之間劃分出供自該分離氣體供給部供給的上述分離氣體流動(dòng)的空間,且該頂面具有能將上述分離氣體流動(dòng)的該空間的壓力維持得比上述第1區(qū)域中的壓力和上述第2區(qū)域中的壓力高的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置還具有以上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)能旋轉(zhuǎn)的方式能裝卸地支承上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)的支承部;
利用上述支承部,能夠?qū)⑸鲜龅?旋轉(zhuǎn)臺(tái)更換為第2旋轉(zhuǎn)臺(tái),該第2旋轉(zhuǎn)臺(tái)包括能分別載置直徑為450mm的基板的5個(gè)以上的基板載置區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述第1反應(yīng)氣體供給部和第2反應(yīng)氣體供給部均具有或其中一方具有沿與上述旋轉(zhuǎn)方向相交的方向延伸的、長度互不相同的多個(gè)氣體噴嘴。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置還具有氣體噴射器,該氣體噴射器包括:
流路形成構(gòu)件,其被分隔壁劃分成氣體活化室和氣體導(dǎo)入室;
氣體導(dǎo)入部,其用于將處理氣體導(dǎo)入到上述氣體導(dǎo)入室內(nèi);
一對(duì)電極,其設(shè)置為在上述氣體活化室內(nèi)沿上述分隔壁彼此平行延伸,施加用于使氣體活化的電力;
連通孔,其沿電極的長度方向設(shè)于上述分隔壁上,用于將上述氣體導(dǎo)入室內(nèi)的氣體供給到上述氣體活化室內(nèi);
氣體噴出口,其沿上述電極的長度方向設(shè)于上述氣體活性室,用于噴出在上述氣體活化室中被活化了的氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述第1旋轉(zhuǎn)臺(tái)包括:
槽部,其包圍上述基板載置區(qū)域;
晶圓導(dǎo)向環(huán),其具有比上述基板的直徑大的內(nèi)徑,能與上述槽部嵌合,
上述晶圓導(dǎo)向環(huán)具有爪部,該爪部延伸到比載置在上述晶圓導(dǎo)向環(huán)內(nèi)側(cè)的上述基板的外緣靠內(nèi)側(cè)的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置,其中,
上述第2旋轉(zhuǎn)臺(tái)包括:
槽部,其包圍上述基板載置區(qū)域;
晶圓導(dǎo)向環(huán),其具有比上述基板的直徑大的內(nèi)徑,能與上述槽部嵌合,
上述晶圓導(dǎo)向環(huán)具有爪部,該爪部延伸到比載置在上述晶圓導(dǎo)向環(huán)內(nèi)側(cè)的上述基板的外緣靠內(nèi)側(cè)的位置。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





