[發明專利]一種超材料的制備方法和超材料有效
| 申請號： | 201110261118.6 | 申請日： | 2011-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN102480053A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發明（設計）人： | 劉若鵬;趙治亞;繆錫根 | 申請（專利權）人： | 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司 |
| 主分類號： | H01Q15/00 | 分類號： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 材料 制備 方法 | ||
1.一種超材料的制備方法，其特征在于，包括：
將具有第一微結構凹槽的模板固定在襯底上；
在所述第一微結構凹槽中注入液態的第一介電材料；
對所述襯底和所述模板一起預熱，使所述第一介電材料固化；
在所述第一微結構凹槽中進一步注入液態的第二介電材料；
在預設的溫度下對所述第二介電材料進行固化，使襯底、第一介電材料、以及第二介電材料形成一體，脫模后獲得具有第二微結構凹槽的介質基板；
在所述第二微結構凹槽中填充具有電磁特性的材料，獲得超材料。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法之前還包括：
采用激光雕刻的方法制備具有第一微結構凹槽的模板。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介電材料包括：玻璃相、水基、粘結劑。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一介電材料還包括分散劑。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介電材料為水基陶瓷。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介電材料的厚度≤1/2第一微結構凹槽的高度；所述第一介電材料的厚度+第二介電材料的厚度＝第一微結構凹槽的高度。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一微結構凹槽的形狀為軸對稱圖形或者非軸對稱圖形。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有電磁特性的材料為：導電材料、鐵電材料、或者鐵氧體材料。
9.一種超材料，其特征在于，包括：襯底；位于襯底上具有微結構的復合材料層，該復合材料層由位于襯底上的第一介電材料層、和位于第一介電材料層上的第二介電材料層構成；以及嵌于所述復合材料層微結構中具有電磁特性的材料。
10.根據權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述第一介電材料包括：玻璃相、水基、粘結劑。
11.根據權利要求10所述的超材料，其特征在于，所述第一介電材料還包括分散劑。
12.根據權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述第二介電材料為水基陶瓷。
13.根據權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述第一介電材料層的厚度≤第二介電材料層的厚度。
14.根據權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述微結構的形狀為軸對稱圖形或者非軸對稱圖形。
15.根據權利要求9所述的超材料，其特征在于，所述具有電磁特性的材料為：導電材料、鐵電材料、或者鐵氧體材料。
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