[發明專利]高壓氮化物LED電路及相應的高壓氮化物LED器件無效
| 申請號: | 201110260173.3 | 申請日: | 2011-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN102315240A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 于洪波;肖德元;程蒙召;張汝京 | 申請(專利權)人: | 映瑞光電科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/00;H01L21/82 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高壓 氮化物 led 電路 相應 器件 | ||
1.一種高壓氮化物LED電路,其特征在于:包括多個發光二極管串聯成一路發光二極管,所述一路發光二極管按序連續劃分成n組,每組發光二極管與一個放電二極管反向并聯,其中n為自然數。
2.根據權利要求1所述的高壓氮化物LED電路,其特征在于:所述每組發光二極管包括的發光二極管數目相同或不同。
3.根據權利要求1所述的高壓氮化物LED電路,其特征在于:所述每個發光二極管具有P型電極、N型電極,且各發光二極管的P型電極、N型電極首尾串聯連接成一路發光二極管。
4.根據權利要求3所述的高壓氮化物LED電路,其特征在于:所述每個放電二極管具有P電極、N電極,每組發光二極管的首尾P型電極、N型電極分別與放電二極管的P電極、N電極反向連接。
5.根據權利要求1所述的高壓氮化物LED電路,其特征在于:所述每組發光二極管連接至不同的放電二極管。
6.一種高壓氮化物LED器件,其特征在于:包括基底層以及形成在基底層上的第一器件區域和第二器件區域,所述第一器件區域內制作有N*M-K個發光二極管,所述第二器件區域內制作有K個放電二極管,使得基底層上集成的發光二極管和放電二極管的總數為N*M個,所述第一器件區域內的發光二極管串聯成一路發光二極管,并按序連續劃分成n組,每組發光二極管與第二器件區域內的一個放電二極管反向并聯,其中,N、M、K、n為自然數,且N和M不同時為1、n≤N*M-K、K≤N*M/2。
7.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每組發光二極管包括的發光二極管的數量不同或相同。
8.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每個發光二極管具有P型電極、N型電極,且各發光二極管的P型電極、N型電極首尾串聯連接成一路發光二極管。
9.根據權利要求8所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每個放電二極管具有P電極、N電極,每組發光二極管的首尾P型電極、N型電極分別與一個放電二極管的P電極、N電極反向連接。
10.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每組發光二極管連接至不同的放電二極管。
11.根據權利要求6所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:多個所述高壓氮化物LED器件制作在一LED芯片上,以N*M個發光二極管和放電二極管為一模塊,通過切片和裂片工藝將所述LED芯片分裂,模塊內不再進行切片和分裂。
12.根據權利要求11所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:將所述各模塊分別封裝為一個高壓氮化物LED并且所述每個高壓氮化物LED由一個電源供電。
13.一種高壓氮化物LED器件,其特征在于:包括基底層以及均勻分布在基底層上的n個單元,所述每個單元包括一組發光二極管和與該組發光二極管反向并聯的一個放電二極管,所述每個單元中的一組發光二極管依次串聯連接,每個單元依次按序連續串聯,其中n為自然數。
14.根據權利要求13所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每個單元包括的發光二極管的數量不同或相同。
15.根據權利要求13所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每個發光二極管具有P型電極、N型電極,且在所述每個單元中的各發光二極管的P型電極、N型電極首尾串聯連接成一組發光二極管。
16.根據權利要求15所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述每個放電二極管具有P電極、N電極,一組發光二極管的首尾P型電極、N型電極與一個放電二極管的P電極、N電極反向連接。
17.根據權利要求15所述的高壓氮化物LED器件,其特征在于:所述各個單元間通過每個單元中的一組發光二極管的首尾P型電極、N型電極進行依次串聯。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





