[發明專利]極紫外光光罩及其制造方法、與基材的圖案化方法

有效

• 申請號: 201110259735.2
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102692812A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 游信勝;嚴濤南
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種極紫外光光罩的制造方法，以圖案化多個半導體基材，其特征在于，該極紫外光光罩的制造方法包含：

利用一光罩曝寫機來圖案化一第一極紫外光光罩基材，以形成一極紫外光前光罩；以及

在一極紫外光掃描曝光機中，利用該極紫外光前光罩圖案化一第二極紫外光光罩基材，以形成該極紫外光光罩，其中利用該極紫外光光罩來圖案化該些半導體基材。

2.根據權利要求1所述的極紫外光光罩的制造方法，其特征在于，形成該極紫外光光罩的步驟包含將該極紫外光前光罩上的多個圖案掃描至該極紫外光光罩上超過一次。

3.根據權利要求1所述的極紫外光光罩的制造方法，其特征在于，形成超過一個極紫外光前光罩，其中每一該超過一個極紫外光前光罩彼此不同，其中利用每一該超過一個極紫外光前光罩來形成該極紫外光光罩。

4.根據權利要求1所述的極紫外光光罩的制造方法，其特征在于，將該些半導體基材圖案化成具有一最小關鍵尺寸，該最小關鍵尺寸的范圍從7nm至17nm。

5.一種基材的圖案化方法，其特征在于，包含：

利用一光罩曝寫機圖案化一第一極紫外光光罩基材，以形成一極紫外光前光罩；

在一極紫外光掃描曝光機中，利用該極紫外光前光罩圖案化一第二極紫外光光罩基材，以形成一極紫外光光罩；以及

利用該極紫外光光罩圖案化該基材，其中將該基材圖案化成具有范圍從7nm至17nm的一最小關鍵尺寸、與一關鍵尺寸變化等于或小于2nm。

6.根據權利要求5所述的基材的圖案化方法，其特征在于，形成該極紫外光光罩的步驟包含將該極紫外光前光罩上的多個圖案掃描至該極紫外光光罩上超過一次。

7.一種極紫外光光罩，其特征在于，包含：

一基材：

一反射多層覆蓋層，位于該基材上；以及

一吸收層，位于該反射多層覆蓋層上方，其中通過使用一極紫外光前光罩的一極紫外光掃描曝光機來圖案化該吸收層，以曝光該吸收層上方的一光阻覆蓋層，其中形成在該極紫外光光罩上的多個圖案包含該極紫外光前光罩上的多個圖案的拷貝。

8.根據權利要求7所述的極紫外光光罩，其特征在于，還包含一緩沖層，其中該緩沖層介于該反射多層覆蓋層與該吸收層之間，其中該緩沖層亦做為一覆蓋層。

9.根據權利要求7所述的極紫外光光罩，其特征在于，該反射多層覆蓋層是由鉬與硅的多個交替層所構成，其中該些交替層的數量范圍從30對至60對。

10.根據權利要求7所述的極紫外光光罩，其特征在于，形成在該極紫外光光罩上的該些圖案具有一第一關鍵尺寸范圍從7nm的4倍至17nm的4倍，其中利用該極紫外光光罩將該基材圖案化成具有范圍從7nm至17nm的一第二關鍵尺寸。