[發(fā)明專利]一種用于模擬開關(guān)的保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110259638.3
• 申請日: 2011-09-05
• 公開（公告）號: CN102394490A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發(fā)明（設計）人: 趙海亮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: H02H7/22
• 分類號: H02H7/22;H03K17/687
• 代理公司: 上海兆豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(有限合伙) 31241
• 代理人: 章蔚強

1.一種用于模擬開關(guān)的保護電路，該保護電路(1)連接一模擬開關(guān)(2)，所述模擬開關(guān)(2)包括控制信號端口(EN)、輸入信號端口(IO1)和輸出信號端口(IO2)，所述保護電路(1)和模擬開關(guān)(2)均由電源(VDD)供電，其特征在于，所述保護電路(1)包括依次連接的第四反相器電路(101)、第五反相器電路(102)、過壓限流保護電路(103)和N阱電位選擇電路(104)，其中：

所述第四反相器電路(101)的輸入端連接控制信號端口(EN)，接收控制信號；

所述N阱電位選擇電路(104)還連接所述電源(VDD)和所述輸入信號端口(IO1)，根據(jù)所述電源(VDD)電壓和所述輸入信號端口(IO1)的輸入信號電平的變化以及相對關(guān)系，實現(xiàn)N阱電位的轉(zhuǎn)換；

所述過壓限流保護電路(103)還連接所述電源(VDD)，在所述輸入信號端口(IO1)的輸入信號電平大于所述電源(VDD)電壓的情況下，實現(xiàn)對倒灌電流的限流；

所述過壓限流保護電路(103)和N阱電位選擇電路(104)的相連端為所述保護電路(1)的輸出端(L1)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于模擬開關(guān)的保護電路，其特征在于，所述第四反相器電路(101)包括第十一PMOS管(11)和第十二NMOS管(12)，第五反相器電路(102)包括第十三PMOS管(13)和第十四NMOS管(14)，其中：

第十一PMOS管(11)的源極連接所述電源(VDD)，第十一PMOS管(11)的柵極與第十二NMOS管(12)的柵極相連的結(jié)點作為第四反相器電路(101)的輸入端，第十一PMOS管(11)的漏極與第十二NMOS管(12)的漏極相連的結(jié)點作為第四反相器電路(101)的輸出端，第十二NMOS管(12)的源極接地(GND)；

第十三PMOS管(13)的源極連接所述電源(VDD)，第十三PMOS管(13)的柵極與第十四NMOS管(14)的柵極相連的結(jié)點作為第五反相器電路(102)的輸入端，第十三PMOS管(13)的漏極與第十四NMOS管(14)的漏極相連的結(jié)點作為第五反相器電路(102)的輸出端(L3)，第十四NMOS管(14)的源極接地(GND)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于模擬開關(guān)的保護電路，其特征在于，所述過壓限流保護電路(103)包括第十五NMOS管(15)、第十六PMOS管(16)和第十七PMOS管(17)，其中：

第十五NMOS管(15)的源極接地(GND)，其漏極與第十六PMOS管(16)的漏極的相連端與第十七PMOS管(17)的柵極相連；第十五NMOS管(15)的柵極和第十六PMOS管(16)的柵極分別連接所述第五反相器電路(102)的輸出端(L3)；

第十七PMOS管(17)的源極連接所述電源(VDD)；

第十六PMOS管(16)的源極及其襯底和第十七PMOS管(17)的漏極及其襯底均連接所述保護電路(1)的輸出端(L1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于模擬開關(guān)的保護電路，其特征在于，所述N阱電位選擇電路(104)包括第十八PMOS管(18)和第十九PMOS管(19)，其中：

第十八PMOS管(18)的漏極和第十九PMOS管(19)的柵極均連接所述電源(VDD)；

第十八PMOS管(18)的柵極和第十九PMOS管(19)漏極均連接輸入信號端口(IO1)；

第十八PMOS管(18)的源極及其襯底和第十九PMOS管(19)的源極及其襯底均連接所述保護電路(1)的輸出端(L1)。