[發明專利]存儲器裝置和操作這些存儲器裝置的方法

無效

• 申請號: 201110258218.3
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102610263A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 簡維志;李明修;陳彥儒
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：

一金屬氧化物存儲器元件，可編程至多個電阻態；以及

一控制器，其包括邏輯電路，該邏輯電路施加偏壓安排至該金屬氧化物存儲器元件，其中該偏壓安排包括：

一第一偏壓安排，用于在該多個電阻態中建立一第一電阻態，其中該第一偏壓安排包括一第一電壓脈沖；以及

一第二偏壓安排，用于當施加該第一偏壓安排之后，而該金屬氧化物存儲器元件不是處于第一電阻態時，建立該第一電阻態，其中該第二偏壓安排包括通過該金屬氧化物存儲器元件的一第二電壓脈沖，而該第二電壓脈沖的脈沖高度大于該第一電壓脈沖的脈沖高度。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該第一電阻態對應到一電阻值，其高于在該多個電阻態中的一第二電阻態的電阻值，該偏壓安排還包括：

一第三偏壓安排，用于將電阻態從該第一電阻態改變到該第二電阻態，該第三偏壓安排包括通過該金屬氧化物存儲器元件的一第三電壓脈沖，該第三電壓脈沖的電壓極性與該第一電壓脈沖及該第二電壓脈沖的電壓極性相同。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該邏輯電路在不包括一編程驗證步驟的一編程操作中，施加該第三偏壓安排。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該第一電阻態對應到一電阻值，其小于在該多個電阻態中的一第二電阻態的電阻值，該偏壓安排還包括：

一第三偏壓安排，用于將電阻態從該第一電阻態改變到該第二電阻態，該第三偏壓安排包括通過該金屬氧化物存儲器元件的一第三電壓脈沖，該第三電壓脈沖的電壓極性與該第一電壓脈沖及該第二電壓脈沖的電壓極性相反。

5.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其特征在于，該邏輯電路在不包括一編程驗證步驟的一編程操作中，施加該第三偏壓安排。

6.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其特征在于，該邏輯電路反復地施加后續的偏壓安排，以建立該第一電阻態，及讀取該金屬氧化物存儲器元件的電阻態，該后續的偏壓安排被施加，直到該金屬氧化物存儲器元件是處于該第一電阻態，或直到一預定的再試次數已經達到，其中該后續的偏壓安排分別包括通過該金屬氧化物存儲器元件的一對應的電壓脈沖，該對應的電壓脈沖的脈沖高度大于該第一電壓脈沖的脈沖高度。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該金屬氧化物存儲器元件包含氧化鎢。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，該偏壓安排還包括：

一第三偏壓安排，其改變該電阻態從該第一電阻態至一第二電阻態；以及

一第四偏壓安排，其改變該電阻態從該第二電阻態至一第三電阻態。

9.一種操作可編程到多個電阻態的一金屬氧化物存儲器元件的方法，其特征在于，包括：

施加一第一偏壓安排至該金屬氧化物存儲器元件，以建立該多個電阻態中的一第一電阻態，其中該第一偏壓安排包括一第一電壓脈沖；

確定該金屬氧化物存儲器元件在施加第一偏壓安排后，是否處于該第一電阻態；以及

如果該金屬氧化物存儲器元件并非處于該第一電阻態，則施加一第二偏壓安排至該金屬氧化物存儲器元件，以建立該第一電阻態，其中該第二偏壓安排包括通過該金屬氧化物存儲器元件的一第二電壓脈沖，該第二電壓脈沖的脈沖高度大于該第一電壓脈沖的脈沖高度。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，該第一電阻態對應到一電阻值，其高于在該多個電阻態中的一第二電阻態的電阻值，該方法還包括：

施加一第三偏壓安排至該金屬氧化物存儲器元件，以將電阻態從該第一電阻態改變到該第二電阻態，其中該第三偏壓安排包括通過該金屬氧化物存儲器元件的一第三電壓脈沖，該第三電壓脈沖的電壓極性與該第一電壓脈沖及該第二電壓脈沖的電壓極性相同。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，還包括在施加該第三偏壓安排后，執行一編程操作，以改變該金屬氧化物存儲器元件的電阻態，其中在施加該第三偏壓安排與執行該編程操作之間，無任何驗證操作被執行。