[發明專利]集成電路和單端到差分放大器有效
| 申請號: | 201110258098.7 | 申請日: | 2011-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN102386863A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 安德魯·M·喬丹;哈維耶·雅撒 | 申請(專利權)人: | 飛兆半導體公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 呂雁葭 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 單端到 差分放大器 | ||
1.一種放大系統,包括:
放大器電路,具有:配置為接收單端信號的第一輸入;第二輸入;以及配置為提供所述單端信號的放大呈現的差分輸出;和
濾波器電路,配置為平衡在所述放大器電路的第一和第二輸入之間的共模電壓,所述濾波器電路包括:
共模輸入,配置為接收所述共模電壓;
第一阻抗網絡,耦合在所述共模輸入和所述放大器電路的第一輸入之間;和
第二阻抗網絡,耦合在所述共模輸入和所述放大器電路的第二輸入之間;
其中所述濾波器電路配置為提供1赫茲以下的低頻極點。
2.如權利要求1的系統,其中第一和第二阻抗網絡的阻抗實質上相等。
3.如權利要求1的系統,其中所述放大器電路包括耦合在第二輸入和所述單端信號的基準之間的電容器,該電容器配置為提供與耦合到第一輸入的信號源的電容相對應的電容。
4.如權利要求3的系統,所述電容器的電容等于或高于所述信號源的電容。
5.如權利要求1的系統,其中第一阻抗網絡和第二阻抗網絡中的至少一個包括第一和第二二極管,所述第一和第二二極管作為反并聯二極管對耦合在所述共模輸入和第一輸入之間。
6.如權利要求5的系統,其中第一二極管包括P+/NWELL結。
7.如權利要求6的系統,其中第一二極管包括具有P+/NWELL結的PMOS晶體管。
8.如權利要求5的系統,其中第二二極管包括N+/PWELL結。
9.如權利要求8的系統,其中第二二極管包括具有P+/NWELL結的NMOS晶體管。
10.如權利要求9的系統,其中所述NMOS晶體管包括配置為將電路襯底與所述NMOS晶體管隔離開的深N阱。
11.如權利要求5的系統,其中第一二極管包括第一PNP型晶體管的基極/發射極結。
12.如權利要求11的系統,其中第二二極管包括第二PNP型晶體管的基極/發射極結。
13.如權利要求5的系統,其中第一二極管和第二二極管包括公共襯底。
14.如權利要求13的系統,其中所述公共襯底包括藍寶石上硅襯底。
15.如權利要求1的系統,包括耦合到所述共模輸入的共模信號源。
16.一種集成電路,包括:
濾波器電路,配置為平衡在放大器電路的第一和第二輸入之間的共模電壓,所述濾波器電路包括:
共模輸入,配置為接收所述共模電壓;
第一阻抗網絡,耦合在所述共模輸入和所述放大器電路的第一輸入之間;和
第二阻抗網絡,耦合在所述共模輸入和所述放大器電路的第二輸入之間。
17.如權利要求16的集成電路,包括放大器電路,其中第一輸入配置為接收單端信號,以及其中所述放大器電路包括配置為提供所述單端信號的放大呈現的差分輸出。
18.如權利要求17的集成電路,其中第一和第二阻抗網絡的阻抗實質上相等。
19.如權利要求18的集成電路,其中裝置包括集成電路,該集成電路包括所述放大器電路和所述濾波器電路。
20.如權利要求19的集成電路,其中所述集成電路包括耦合到所述共模輸入的共模信號源。
21.一種用于操作放大器電路的方法,所述方法包括:
使用濾波器電路以及第一和第二阻抗網絡來平衡放大器電路的第一和第二輸入之間的共模電壓,該濾波器電路具有低于1赫茲的低頻極點,所述平衡使用包括所述放大器電路和所述濾波器電路的集成電路;
其中所述平衡包括:
在所述濾波器電路的共模輸入接收所述共模電壓;
利用第一阻抗網絡對到所述放大器電路的第一輸入的共模電壓進行濾波;和
利用第二阻抗網絡對到所述放大器電路的第二輸入的共模電壓進行濾波。
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