[發(fā)明專利]熒光物質(zhì)和使用其的發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110257857.8
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102399556A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 加藤雅禮;福田由美;岡田葵
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李帆

1.熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)由下式(1)表示：

(M_1-xEC_x)_aSi_bAlO_cN_d????(1)

其中M是選自如下的元素：第1族元素、第2族元素、第3族元素、Al以外的第13族元素、稀土元素、第4族元素和Si以外的第14族元素；EC是選自Eu，Ce，Mn，Tb，Yb，Dy，Sm，Tm，Pr，Nd，Pm，Ho，Er，Cr，Sn，Cu，Zn，As，Ag，Cd，Sb，Au，Hg，Tl，Pb，Bi和Fe中的元素；且x、a、b、c和d是分別滿足下列條件的數(shù)：0＜x＜0.4、0.55＜a＜0.80、2＜b＜3、0＜c≤0.6和4＜d＜5；

其形式為平均晶粒尺寸為20-100μm且縱橫比為2-4的晶體；和

在250-500nm波長范圍的光激勵下，其發(fā)射具有580-660nm波長范圍內(nèi)的峰值的發(fā)光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的熒光物質(zhì)，其形式為包含20％或更少的縱橫比在2-4范圍之外的晶粒的晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的熒光物質(zhì)，其中所述EC是Eu或Mn。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的熒光物質(zhì)，其中所述x、a、b、c和d是分別滿足下列條件的數(shù)值：0.02≤x≤0.2、0.66≤a≤0.69、2.2≤b≤2.4、0.43≤c≤0.51和4.2≤d≤4.3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的熒光物質(zhì)，其含有這樣的組分，通過用特定的CuKαX射線測得的該組分的XRD圖譜同時在七個或更多個位置顯示出衍射峰，所述位置選自下列十一個位置中：15.0-15.25°、23.1-23.20°、24.85-25.05°、26.95-27.15°、29.3-29.6°、30.9-31.1°、31.6-31.8°、33.0-33.20°、35.25-35.45°、36.1-36.25°和56.4-56.65°，就衍射角而言(2θ)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的熒光物質(zhì)，其通過如下步驟制備：

將包括如下的材料混合：所述M的氮化物或碳化物；Al的氮化物、氧化物或碳化物；Si的氮化物、氧化物或碳化物；和所述EC的氧化物、氮化物或碳酸鹽；和

燒制所述混合物持續(xù)不超過4小時的燒制時間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的熒光物質(zhì)，其中所述燒制時間處在不小于0.1小時且不大于2小時的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6的熒光物質(zhì)，其中在不低于5大氣壓的壓力下在1500-2000℃的溫度下燒制所述混合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求6的熒光物質(zhì)，其中在氮氣氛下燒制所述混合物。