[發明專利]用于LED晶粒點測設備的點測裝置有效
| 申請號: | 201110257764.5 | 申請日: | 2011-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN102509709A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 林晉生;白智亮;李聰明;溫俊熙 | 申請(專利權)人: | 致茂電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京天平專利商標代理有限公司 11239 | 代理人: | 孫剛 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 led 晶粒 設備 裝置 | ||
技術領域
本發明系關于一種用于LED晶粒點測設備的點測裝置,尤其是一種應用以能量轉換器控制該點測裝置的起落行程于待測LED晶粒上。
背景技術
近年來,隨著科技的進步,LED晶圓的制程亦不斷精進,同時為了有效提升晶圓產品的品管良率,業者往往會于后段制程中,以點測裝置將電流準確地傳送至晶圓上的LED晶粒,并藉由偵測該晶圓上的LED晶粒所發出光線的特性,以判斷出晶圓上每一晶粒的優劣。
目前傳統的點測裝置如圖1所示,該傳統式點測裝置1系由一邊緣檢測(edge?sensor)開關11、一擺臂12及一探針13所組成,因此當底部的驅動機構2經由調整使該具有LED晶圓4的承載裝置3向上移動時,能使該LED晶圓4靠近該點測裝置1,該LED晶圓4的頂面會抵壓該點測裝置1的探針13,使該探針13能與該LED晶圓4的LED晶粒41接觸,同時,該邊緣檢測(edge?sensor)開關11能將所接收的外部電流,通過該探針13傳送至該LED晶圓4上的LED晶粒41,使得LED晶粒41接收到電流而發光,如此,業者即能藉由偵測該LED晶圓4上的LED晶粒41所發出光線的特性,以判斷該LED晶圓4上每一晶粒的優劣。
但上述傳統的點測裝置,其中的一項缺失在于當該點測裝置1進行點測時,在探針13接觸到LED晶粒41后即成為接通狀態,此時必須在邊緣檢測(edge?sensor)開關11處的接合動作下送一測試電流至探針13,藉此讓待測LED晶粒41由兩支點測測裝置導通點亮;不過,傳統的邊緣檢測(edge?sensor)開關11為機械式動作,在點測過程累積反復開啟/關閉動作之下,很容易造成接觸不佳,使測試電流無法有效準確地傳送至該LED晶圓4上的LED晶粒41,導致點測后的數據資料可信度遭存疑。
因此,若能夠維持點測裝置的可靠度,改善以往導通后送測試訊號的機械式接觸的測試訊號失真問題,并且控制改善該探針接觸該LED晶圓的速度輸出及力量輸出,應為一最佳解決方案。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于LED晶粒點測設備的點測裝置,其結構簡單,操作方便。
為實現上述目的,本發明公開了一種用于LED晶粒點測設備的點測裝置,用以接觸檢測LED晶圓上的多個LED晶粒,該點測裝置至少具有兩支測試探針組,其特征在于各測試探針組包括:
一探針,用以與該LED晶圓上該些LED晶粒接觸;
一能量轉換器,與該探針一端相連接,用以將所接收電能轉換為機械動能,以控制該探針于該LED晶圓上的起落行程,使該探針以受控制的起落速度接觸該些LED晶粒;以及
一驅動單元,與該能量轉換器電性相接,用以提供該能量轉換器的輸入電能訊號。
其中,該LED晶粒點測設備更具有一承載裝置及一驅動機構,該承載裝置用以置放至少一片LED晶圓,而該驅動機構能夠驅動該承載裝置進行移動。
其中,該承載裝置能夠藉由該驅動機構作X、Y軸向位移。
其中,該承載裝置能夠藉由該驅動機構作X、Y、Z軸向位移。
其中,該能量轉換器為音圈馬達。
其中,該LED晶粒點測設備更具有一與該驅動器相連接控制單元,該控制單元能夠傳送訊號進入該驅動器中,并透過該驅動單元進行控制該能量轉換器的速度輸出及力量輸出。
通過本發明,能實現以下技術效果:
1.本發明系能夠藉由能量轉換器來對探針下壓接觸LED晶圓所輸出的力量、位置、加速度以及速度進行控制,并在操作中隨時進行力量位置以及速度的轉換,以使該探針能以受控制的起落速度接觸LED晶圓上的LED晶粒。
2.本發明能使探針緩慢并精準的接觸LED晶圓上的LED晶粒,以便提高偵測靈敏度及定位準確性。
附圖說明
圖1:為習知傳統式點測裝置的架構圖;
圖2:為本發明用于LED晶粒點測設備的點測裝置的架構圖;
圖3:為本發明用于LED晶粒點測設備的點測裝置的能量轉換器的動作曲線圖;
圖4A:為本發明用于LED晶粒點測設備的點測裝置的起實施例圖;以及
圖4B:為本發明用于LED晶粒點測設備的點測裝置的實施例圖。
具體實施方式
有關于本發明的前述及其他技術內容、特點與功效,在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細說明中,將可清楚的呈現。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于致茂電子(蘇州)有限公司,未經致茂電子(蘇州)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110257764.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶體硅太陽能電池的擴散工藝
- 下一篇:一種Ga摻雜ZnO納米材料的制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





