[發明專利]后柵工藝中假柵的制造方法有效
| 申請號： | 201110257658.7 | 申請日： | 2011-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN102969232A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 楊濤;趙超;閆江;李俊峰;盧一泓;陳大鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 工藝 中假柵 制造 方法 | ||
1.一種后柵工藝中假柵的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上依次形成假柵材料層、硬掩模材料層；
刻蝕硬掩模材料層，形成上寬下窄的硬掩模圖形；
以硬掩模圖形為掩模，干法刻蝕假柵材料層，形成上寬下窄的假柵。
2.如權利要求1的方法，其中，硬掩模材料層包括第一掩模層和位于第一掩模層上的第二掩模層。
3.如權利要求2的方法，其中，先干法刻蝕形成上下等寬的硬掩模圖形，然后濕法腐蝕第一掩模層以形成上寬下窄的硬掩模圖形。
4.如權利要求3的方法，其中，形成的上寬下窄的硬掩模圖形中第二掩模層具有比第一掩模層寬的懸出部分。
5.如權利要求4的方法，其中，調整懸出部分寬度以及假柵材料層的厚度來控制假柵的傾角。
6.如權利要求2的方法，其中，濕法腐蝕硬掩模材料層一步形成上寬下窄的硬掩模圖形，濕法腐蝕液對于第一掩模層的腐蝕速率大于對于第二掩模層的腐蝕速率。
7.如權利要求2的方法，其中，第一掩模層和第二掩模層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。
8.如權利要求3或6的方法，其中，濕法腐蝕的腐蝕液包括DHF、BOE、熱磷酸、H2O2。
9.如權利要求1的方法，其中，假柵材料層包括多晶硅、非晶硅、微晶硅，襯底包括單晶硅、SOI、單晶鍺、GeOI、SiGe、SiC、InSb、GaAs、GaN。
10.一種后柵工藝，包括步驟：
采用如權利要求1的后柵工藝中假柵的制造方法，在襯底上形成上寬下窄的假柵；
在假柵兩側形成側墻；
移除假柵，形成上寬下窄的柵溝槽；
在柵溝槽中填充柵極絕緣層和柵極材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
