[發明專利]接觸孔制備過程中光阻的去除方法無效
| 申請號： | 201110257482.5 | 申請日： | 2011-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN102290371A | 公開（公告）日： | 2011-12-21 |
| 發明（設計）人： | 包德君;黃慶豐;孫凌;王俊杰 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 制備 過程 中光阻 去除 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種接觸孔制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步驟：
形成半導體器件的導電區；
在所述導電區的表面形成絕緣介質層；
在所述絕緣介質層的表面形成具有接觸孔圖案的光阻層；
以所述光阻層為掩膜，刻蝕所述絕緣介質層，形成連通所述導電區的接觸孔；
利用氧氣和H2N2的混合氣體去除所述光阻層。
2.如權利要求1所述的接觸孔制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，所述絕緣介質層為二氧化硅層。
3.如權利要求1所述的接觸孔制備過程中光阻的去除方法，其特征在于，所述導電區為所述半導體器件的源區或者漏區或者柵電極。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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