[發明專利]MOS晶體管制造方法無效
| 申請號： | 201110257452.4 | 申請日： | 2011-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN102270576A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 令海陽;巨曉華;黃慶豐;包德君 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 晶體管 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種MOS晶體管制造方法，所述MOS晶體管結構中包含硅化物，其特征在于所述MOS晶體管制造方法包括：
柵極多晶硅形成步驟，用于在硅片上的柵極介質層上形成柵極多晶硅結構；
N阱和P阱形成步驟，用于在硅片S中形成N阱和P阱；
隔離層形成步驟，用于形成柵極之間隔離層；
摻雜步驟，用于執行N摻雜以及P摻雜；以及
硅化物阻止層刻蝕步驟，其中通過刻蝕工藝來減薄柵極介質層在源漏區上方的厚度。
2.根據權利要求1所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于還包括硅化物形成步驟，用于利用硅化物阻止層形成硅化物。
3.根據權利要求1或2所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述刻蝕工藝包括干法刻蝕與濕法刻蝕。
4.根據權利要求1或2所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述柵極介質層是氧化物。
5.根據權利要求1或2所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述MOS晶體管制造方法用于高壓MOS晶體管器件制造。
6.根據權利要求1或2所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述MOS晶體管制造方法用于關鍵尺寸為0.162um的制作工藝。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
