[發明專利]多晶硅化學機械研磨工藝的研磨墊預研磨方法

有效

• 申請號: 201110257441.6
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102339742A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 李儒興;陳海蓉;朱華;李志國
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種多晶硅化學機械研磨(CMP)工藝的研磨墊預研磨方法，其特征在于，包括步驟：

提供裸硅晶圓片；

更換研磨墊；

采用裸硅晶圓片、研磨液及更換后的研磨墊進行預研磨。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用裸晶圓片進行預研磨，具體包括：

將研磨墊安裝在研磨機械平臺上；

在研磨液的作用下，采用該研磨墊研磨裸晶硅晶圓到設定的預研磨時間。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預研磨時間根據研磨液類型、研磨墊工藝參數、研磨頭研磨壓力以及制程工藝參數確定，所述制程工藝參數至少包括研磨速率及研磨均勻度。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在預研磨前，還包括確定預研磨時間和所需裸硅晶圓的片數的步驟。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述確定預研磨時間和裸硅晶圓片數的步驟，具體包括：

設定多個待選擇預研磨時間和片數；

在研磨液的作用下，采用該研磨墊研磨裸晶硅圓分別達到多個待選擇預研磨時間和片數；

比較各待選擇預研磨方案對應的研磨墊化學平衡狀態，所述化學平衡狀態的衡量參數包括研磨速率及均勻度；

選擇研磨墊化學平衡狀態最接近正式研磨的化學平衡狀態對應的待選擇預研磨時間和片數作為確定的預研磨方法。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用多個裸硅晶圓片進行預研磨。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，該研磨機械平臺包括多個研磨頭；以及

在預研磨時，至少用兩個研磨頭研磨裸硅晶圓片。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在預研磨時，研磨機械平臺只用一個研磨頭研磨裸硅晶圓片；以及還包括步驟：

在采用一個裸硅晶圓片預研磨完畢后，采用安裝好的下一個裸硅晶圓片進行預研磨。