[發明專利]晶圓級封裝結構及封裝方法

無效

• 申請號: 201110257344.7
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102270590A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 王宥軍;俞國慶;楊紅穎;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/498
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓級封裝方法，包括：提供待封裝晶圓，所述晶圓表面形成有多個分立焊墊；

其特征在于，還包括：

在所述焊墊表面形成導電的等高柱；

在所述等高柱表面形成凸點。

2.如權利要求1所述晶圓級封裝方法，其特征在于，所述等高柱形成步驟包括：

提供金屬板，所述金屬板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，將金屬板的第一表面與形成有焊墊的晶圓表面對位鍵合；

去除部分金屬板，形成等高柱。

3.如權利要求1所述晶圓級封裝方法，其特征在于，所述凸點的形成工藝為：

在等高柱表面形成凸點層，所述凸點層材料的熔點與等高柱的熔點不同；

回流焊凸點層，形成位于所述等高柱表面的凸點。

4.如權利要求3所述晶圓級封裝方法，其特征在于，所述凸點層包括：底部金屬層和位于底部金屬層表面的焊料凸點層。

5.如權利要求1所述晶圓級封裝方法，其特征在于，所述等高柱材料為銅。

6.一種晶圓級封裝結構，包括：

待封裝晶圓，所述晶圓表面形成有多個分立焊墊；

其特征在于，還包括：

位于所述焊墊表面的等高柱；

位于所述等高柱表面的凸點。

7.如權利要求6所述的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述等高柱材料為銅。

8.如權利要求6所述的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述等高柱為實心結構。