[發明專利]一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法

無效

• 申請號: 201110257029.4
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102417190A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 王潤偉;李守貴;曾尚景
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: C01B39/22
• 分類號: C01B39/22
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其步驟如下：

1)制備活化硅源：向硅源中加入堿性鋁源溶液，調節各原料的用量，使反應混合物中各成份的摩爾比為Na₂O∶Al₂O₃∶SiO₂∶H₂O＝14～22∶1∶15～20∶250～400，然后將該反應體系陳化后得到活化硅源；

2)合成低硅NaX沸石：向活化硅源中加入鋁源溶液及非必需的堿或酸溶液，調節各原料的用量，使反應混合物中各成份的摩爾比為Na₂O∶Al₂O₃∶SiO₂∶H₂O＝1.8～5.0∶1∶2.1～2.5∶90～350；然后將反應混合物經晶化、過濾、洗滌和干燥步驟后得到低硅NaX沸石，其中SiO₂與Al₂O₃的摩爾比低于2.10。

2.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟1)中的硅源為水玻璃、硅溶膠或無定形二氧化硅。

3.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟1)中的堿性鋁源溶液是堿和鋁源制成的溶液。

4.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟1)中的陳化是在25～60℃溫度條件下陳化0.25～7天。

5.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟2)中的鋁源為鋁酸鈉或氫氧化鋁。

6.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟2)中的堿是氫氧化鈉，酸是硫酸、鹽酸或硝酸。

7.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟2)中的晶化是將反應物置于反應釜中，在30～100℃溫度條件下靜止晶化1～10天。

8.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟2)中的晶化是將反應物置于反應釜中，首先在50～60℃溫度條件下晶化7～10h，然后在90～100℃溫度條件下晶化5～10h。

9.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟2)中的干燥是在25～100℃溫度條件下干燥。

10.如權利要求1所述的一種應用活化硅源制備低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步驟2)中SiO₂與Al₂O₃的摩爾比為2.0～2.10。