[發明專利]大模場面積單模菊花纖芯分布光纖及其制作方法無效
| 申請號: | 201110256559.7 | 申請日: | 2011-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102305958A | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發明(設計)人: | 胡旭東;寧提綱;裴麗;溫曉東;李晶;王春燦;楊龍 | 申請(專利權)人: | 北京交通大學 |
| 主分類號: | G02B6/036 | 分類號: | G02B6/036;G02B6/02;C03B37/012;C03B37/025 |
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| 地址: | 100044 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 大模場 面積 單模 菊花 分布 光纖 及其 制作方法 | ||
1.大模場面積單模菊花纖芯分布光纖,該光纖包括直徑為2~10微米的圓形纖芯(1)、內包層(3)與外包層(4),其特征為:
所述的內包層(3)內圍繞圓形纖芯(1)均勻分布N個相同半徑與弧度的扇形纖芯,N個扇形纖芯分別記為第一扇形纖芯(21)、第二扇形纖芯(22)、...、第N扇形纖芯(2N),3≤N≤32整數;
第一扇形纖芯(21)、第二扇形纖芯(22)、...、第N扇形纖芯(2N)的頂點與圓形纖芯(1)外圓的距離相等,距離均為2~10微米;第一扇形纖芯(21)、第二扇形纖芯(22)、...、第N扇形纖芯(2N)的半徑均為20~200微米,弧度均為2π/N;
第一扇形纖芯(21)、第二扇形纖芯(22)、...、第N扇形纖芯(2N)的光學折射率相等與聲學折射率相等,第一扇形纖芯(21)光學折射率大于內包層(3)的光學折射率,小于等于圓形纖芯(1)的光學折射率;內包層(3)的光學折射率大于外包層(4)的光學折射率;
第一扇形纖芯(21)、第二扇形纖芯(22)、...、第N扇形纖芯(2N)的聲學折射率大于等于圓形纖芯(1)的聲學折射率。
2.根據權利要求1所述的大模場面積單模菊花纖芯分布光纖,其特征為:
所述的圓形纖芯(1)、第一扇形纖芯(21)、第二扇形纖芯(22)、...、第N扇形纖芯(2N)的摻稀土離子類型相同,其摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子或鉺鐿共摻離子。
3.大模場面積單模菊花纖芯分布光纖的制作方法,其特征為:
該制作方法包括以下步驟:
步驟一選擇兩根相同摻稀土離子類型的摻稀土離子光纖預制棒,兩光纖預制棒的芯區的光學折射率不等或相等;芯區的光學折射率不等時,芯區光學折射率大的光纖預制棒的芯區的聲學折射率??;兩光纖預制棒的芯區光學折射率相等時,兩根光纖預制棒的芯區的聲學折射率相等;
步驟二將這兩根光纖預制棒的包層去掉,只剩下芯區;
步驟三兩光纖預制棒的芯區的光學折射率不等時,將芯區的光學折射率大的光纖預制棒拉制成直徑為2~10mm的圓形細棒;
兩光纖預制棒的芯區光學折射率相等時,將芯區半徑小的光纖預制棒拉制成直徑為2~10mm的圓形細棒;
步驟四兩光纖預制棒的芯區的光學折射率不等時,將芯區的光學折射率小的光纖預制棒處理成N個相同半徑與弧度的扇形細棒,每個扇形細棒的弧度均為2π/N,半徑均為20~200mm,3≤N≤32整數;
兩光纖預制棒的芯區光學折射率相等時,將芯區半徑大的光纖預制棒處理成N個相同半徑與弧度的扇形細棒,每個扇形細棒的弧度均為2π/N,半徑為20~200mm,3≤N≤32整數;
步驟五將上述圓形細棒和N個扇形細棒組織起來,并使圍繞圓形細棒均勻分布的N個扇形細棒頂點與圓形細棒的外圓距離相等,距離均為2~10mm;
套上石英管,空隙處用光學折射率比扇形細棒低但比石英管光學折射率高的細石英棒填充;拉制成大模場面積單模菊花纖芯分布光纖。
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