[發明專利]激光退火片臺裝置有效
| 申請號: | 201110256442.9 | 申請日: | 2011-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102306620A | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發明(設計)人: | 張建富;馮平法;吳志軍;郁鼎文;榮子光;張云亮;鄭書友 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黃德海 |
| 地址: | 100084 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 退火 裝置 | ||
1.一種激光退火片臺裝置,其特征在于,包括:
底座;
爐殼,所述爐殼內限定有爐腔,所述爐腔的上表面敞開,所述爐殼支撐在所述底座上;
加熱組件,所述加熱組件設在所述爐腔內;
隔熱組件,所述隔熱組件設在所述加熱組件與所述爐殼的內壁之間;
托盤,所述托盤設在所述爐殼的頂面上且設有沿托盤軸向貫通的通孔;和
卸片組件,所述卸片組件設在所述底座上且位于所述爐殼與所述底座之間,所述卸片組件包括多個頂針和驅動組件,所述驅動組件用于驅動所述多個頂針沿上下方向移動以便每個所述頂針能夠向上穿過對應的所述通孔向上伸出所述托盤的上表面。
2.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,進一步包括第一和第二導軌,所述第一導軌沿第一方向可平移地設在所述第二導軌上,其中所述底座沿正交于所述第一方向的第二方向可平移地設在所述第一導軌上。
3.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,進一步包括調平組件,所述調平組件連接在所述爐殼與所述底座之間用于調整所述托盤的水平度。
4.根據權利要求3所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,所述調平組件包括:
第一螺柱,所述第一螺柱設在所述底座的上表面上;
第二螺柱,所述第二螺柱設在所述爐殼的底面上且與所述第一螺柱對應;
螺套,所述螺套兩端分別與所述第一和第二螺柱螺紋連接;和
第一和第二螺母,所述第一和所述第二螺母分別配合在所述第一螺柱和第二螺柱上且分別位于所述螺套兩端。
5.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,所述驅動組件包括:
支撐盤,每個所述頂針的下端固定在支撐盤上;
轉軸,所述轉軸可旋轉地支撐在所述底座上;和
凸輪,所述凸輪安裝在所述轉軸上用于隨所述轉軸旋轉以驅動所述支撐盤升降。
6.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,所述托盤為石墨盤,且所述石墨盤的外表面上鍍有碳化硅膜。
7.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,所述加熱組件與所述托盤間隔開預定距離且包括鎧裝電熱絲。
8.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,所述隔熱組件包括多個套筒,每個套筒的頂端敞開且底端封閉,所述多個套筒嵌套在一起且相鄰兩個套筒的底面之間以及周面之間彼此間隔開。
9.根據權利要求1所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,所述托盤上設置有用于將硅晶片固定在所述托盤上的彈簧撥片。
10.根據權利要求1-9中任一項所述的激光退火片臺裝置,其特征在于,還包括托盤溫度控制系統,所述托盤溫度控制單元系統包括:
用于檢測所述托盤的溫度的測溫件;和
溫控單元,所述溫控單元分別與所述測溫件和所述加熱組件相連以根據所述測溫件檢測到的溫度控制所述加熱組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





