[發明專利]低副瓣羅特曼透鏡天線無效
| 申請號: | 201110256203.3 | 申請日: | 2011-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102403576A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 李峰;劉熠志;黃巍 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十研究所 |
| 主分類號: | H01Q21/00 | 分類號: | H01Q21/00;H01Q13/06;H01Q17/00 |
| 代理公司: | 成飛(集團)公司專利中心 51121 | 代理人: | 郭純武 |
| 地址: | 610036 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低副瓣羅特曼 透鏡天線 | ||
1.一種低副瓣羅特曼透鏡天線,包括,透鏡部分與旁瓣對消電路,其特征在于,輻射單元(1)與對應的陣列口(4)之間的矩形波導(3)內,設置有用于縮小天線尺寸的鏍釘移相器(2),每個波束口(6)后都連接有一單刀雙擲開關(7),兩相鄰波束口(6)的信號,通過相鄰兩個單刀雙擲開關(7)的選擇,送入對應相連的同一個合成器(8)中,兩相鄰波束副瓣對消,所得到的合成波束的副瓣被有效降低。
2.如權利要求1所述的低副瓣羅特曼透鏡天線,其特征在于,所述透鏡部分包括,多個輻射單元(1)、鏍釘移相器(2)、矩形波導(3)、陣列口(4)、吸波材料(5)、n+1個波束口(6)、n-1個單刀雙擲開關(7)與n個合成器(8)。
3.如權利要求1所述的低副瓣羅特曼透鏡天線,其特征在于,所述的旁瓣對消電路由n-1個單刀雙擲開關(7)與n個合成器(8)構成。
4.如權利要求1所述的低副瓣羅特曼透鏡天線,其特征在于,n+1個波束口(6)后接一單刀雙擲開關(7),n-1個單刀雙擲開關7的輸出端與透鏡最邊緣的兩個輸出口形成初級波束口(10)。
5.如權利要求1所述的低副瓣羅特曼透鏡天線,其特征在于,所述鏍釘移相器(2)連接在各矩形波導(3)中。
6.如權利要求2所述的低副瓣羅特曼透鏡天線,其特征在于,吸波材料(5)位于透鏡中部左右兩個旁壁處,吸收除從波束口(6)到陣列口(4)之間的直射波外的其它電磁波。
7.如權利要求1所述的低副瓣羅特曼透鏡天線,其特征在于,從自由空間中來的電磁波由各個輻射單元(1)接收后沿對應的矩形波導(3)傳輸,并經鏍釘移相器(2)調整相位后,從陣列口(4)輻射到n+1個波束口(6)中形成初級波束。
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