[發(fā)明專利]基于環(huán)腔的電吸收調(diào)制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110256183.X
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102338940A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫長征;劉冬;熊兵;羅毅
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: G02F1/017
• 分類號: G02F1/017;G02B6/122
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種基于環(huán)腔的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述電吸收調(diào)制器包括：相互耦合的電吸收波導(dǎo)和直路輸入輸出波導(dǎo)，所述電吸收波導(dǎo)為環(huán)腔結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述電吸收波導(dǎo)的外延結(jié)構(gòu)包括依次外延生長在N型襯底上的下包層、下波導(dǎo)層、多量子阱有源層、上波導(dǎo)層、上包層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層連接P電極，所述N型襯底連接N電極。

3.如權(quán)利要求1或2所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述直路輸入輸出波導(dǎo)與所述電吸收波導(dǎo)的外延結(jié)構(gòu)相同。

4.如權(quán)利要求3所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述微環(huán)電吸收部分通過選擇區(qū)域生長的方式增加所述多量子阱有源層的厚度，使熒光波長較所述直路輸入輸出波導(dǎo)紅移，以減小直路輸入輸出波導(dǎo)的傳輸損耗。

5.如權(quán)利要求1或2所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述電吸收波導(dǎo)和直路輸入輸出波導(dǎo)之間的光強(qiáng)耦合系數(shù)的取值范圍為0.01～0.8。

6.如權(quán)利要求1或2所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述環(huán)腔結(jié)構(gòu)為圓形環(huán)。

7.如權(quán)利要求6所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述圓形環(huán)的一段為光放大段，并在所述光放大段兩端設(shè)置電隔離區(qū)。

8.如權(quán)利要求1或2所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述環(huán)腔結(jié)構(gòu)由直波導(dǎo)段和扇形波導(dǎo)段組成。

9.如權(quán)利要求1或2所述的電吸收調(diào)制器，其特征在于，所述電吸收波導(dǎo)和直路輸入輸出波導(dǎo)均采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。