[發明專利]一種金屬柵的制作方法

有效

• 申請號: 201110256164.7
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102969231A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 王新鵬;洪中山
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種金屬柵的制作方法，包括：

提供半導體基底；

在所述半導體基底上形成源極、漏極、金屬柵極以及形成于源極、漏極、金屬柵極表面的自對準硅化物層；

在所述半導體基底上沉積氧化鋁薄膜；

形成觸孔蝕刻停止層；

形成層間介電層；

形成光阻層；

進行接觸孔的圖形定義；

去除所述光阻層和一部分觸孔蝕刻停止層；

進行氬濺射工藝，去除所述金屬柵極頂部的氧化鋁薄膜和自氧化形成的氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述自對準硅化物層為鎳-硅金屬材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述氧化鋁薄膜厚度為10???~40??。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述觸孔蝕刻停止層為氮化硅材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬柵極為金屬鋁或鋁鈦合金材料。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述層間介電層中插入一氮化硅層，該氮化硅層為氬濺射工藝中的硬掩膜層和消耗層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述氮化硅層到所述層間介電層表面的距離為30~100?。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述氮化硅層被用作縮減所述接觸孔的關鍵尺寸。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成光阻層前還包括形成底部抗反射層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，在去除所述光阻層后還包括去除所述底部抗反射層。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在進行氬濺射工藝后還包括接觸孔金屬沉積和化學機械研磨的步驟。