[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110256133.1 | 申請日： | 2011-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN102386160A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 右田達(dá)夫;江澤弘和;山下創(chuàng)一;永嶺公朗;宮田雅弘;鹽月龍夫;村西清 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 陳海紅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
形成了布線及焊盤電極的半導(dǎo)體基板；
在所述半導(dǎo)體基板上形成的金屬膜；
在所述金屬膜的表層形成的表面改性層；
隔著所述表面改性層在所述金屬膜上形成的再布線。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述金屬膜的下層為選擇Ti、TiN、TiW、W、Ta、Cr、CoTi中的一個(gè)、所述金屬膜的上層為選擇Cu、Al、Pd、Au、Ag中的一個(gè)的層疊構(gòu)造，所述表面改性層為Cu氧化膜。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
在所述再布線上形成的表面層。
4.權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述再布線的材料為Cu，所述表面層的材料為從Mn、Ta、Ni、Zn、Cr、Co、Sn及Pb中選擇的至少一個(gè)。
5.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在所述半導(dǎo)體基板形成了集成電路。
6.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
以覆蓋所述布線及焊盤電極的方式在所述半導(dǎo)體基板上形成的保護(hù)膜；
在所述保護(hù)膜形成的、使所述焊盤電極露出的第1開口部；
在所述保護(hù)膜形成的、使所述布線的一部分露出的第2開口部。
7.權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
在所述保護(hù)膜上形成的第1緩沖層；
在所述第1緩沖層形成的、經(jīng)由所述第1開口部使所述焊盤電極露出的第3開口部；
在所述第1緩沖層形成的、經(jīng)由所述第2開口部使所述布線的一部分露出的第4開口部。
8.權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述保護(hù)膜是無機(jī)絕緣體，所述第1緩沖層是樹脂。
9.權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述樹脂從聚酰亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂及苯酚系樹脂中選擇。
10.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述金屬膜具備在所述第1緩沖層和所述再布線之間形成的第1基底阻擋金屬膜。
11.權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述再布線具備：
經(jīng)由所述第1開口部及所述第3開口部與所述焊盤電極連接的第1再布線；
經(jīng)由所述第2開口部及所述第4開口部與所述焊盤電極連接的第2再布線；
在所述第1緩沖層上形成的第3再布線。
12.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
在所述第1再布線、所述第2再布線及所述第3再布線上形成的第2緩沖層；
在所述第2緩沖層形成的、使所述第1再布線露出的第5開口部。
13.權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：
經(jīng)由所述第5開口部與所述第1再布線連接的突出電極。
14.權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述突出電極是合金焊接層組成的。
15.權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述金屬膜還具備在所述第2緩沖層和所述突出電極之間形成的第2基底阻擋金屬膜。
16.權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第2緩沖層是樹脂。
17.權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述樹脂從聚酰亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂及苯酚系樹脂中選擇。
18.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備：
在形成了布線及焊盤電極的半導(dǎo)體基板上形成金屬膜的工序；
在所述金屬膜上形成相對于達(dá)到與所述金屬膜的界面為止的365nm的波長的光，吸光度為80％以下的光刻膠圖形的工序；
在所述金屬膜上形成埋入所述光刻膠圖形間的再布線的工序；
所述再布線形成后從所述金屬膜上除去所述光刻膠圖形的工序。
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