[發明專利]一種鰭型場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201110256123.8
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102969248A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 洪中山
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種鰭型場效應晶體管的制作方法，包括：

提供半導體基底；

在所述半導體基底上形成硬掩膜；

蝕刻形成鰭片；

縮減所述硬掩膜；

在所述半導體基底上形成犧牲層；

實施第一刻蝕，去除一部分所述犧牲層；

實施第二刻蝕，去除一部分所述犧牲層以及部分所述鰭片的上部邊角，使所述鰭片的邊角圓滑化；

去除所述犧牲層和所述硬掩膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體基底為一SOI基底。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述硬掩膜為SiN或SiN/SiO2。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述鰭片材料包括Si、Ge、SiGe中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，用濕法刻蝕工藝縮減所述硬掩膜。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，用干法刻蝕工藝縮減所述硬掩膜。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層為SiN或SiON。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一刻蝕基于CF₄,?CHF₃,?CH₃F氣體，SiN/Si的選擇性為1~10之間。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二刻蝕基于CF₄,?Ar,?O₂,?SiN/Si的選擇性為0.7~1.5之間。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述犧牲層和所述硬掩膜后還包括氧化和/或退火的步驟，進一步去除鰭片的上部邊角，使所述鰭片的邊角進一步圓滑化。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該退火步驟在H₂或He中進行，退火溫度為800~1200度。