[發明專利]半導體裝置內開口的形成方法

有效

• 申請號: 201110256029.2
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102881635A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 林智清;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

技術領域

本發明涉及半導體制造技術，且特別涉及一種半導體裝置內開口的形成方法。

背景技術

隨著集成電路技術的快速發展，組件微縮及整合為現今電子工業的重要趨勢與課題。

已知的一種半導體裝置內開口的形成方法包括提供半導體基板，并接著在半導體基板上形成介電層。接著，在介電層上形成阻劑層。接著，施行已知的微影程序以定義與形成圖案化阻劑層。接著，使用圖案化阻劑層作為蝕刻罩幕，并施行蝕刻操作以移除為圖案化阻劑層所露出的介電層的一部分，進而留下了露出半導體基板表面一部分的數個開口的圖案化介電層。形成于圖案化介電層內的開口可用作接觸窗(contact?holes)或接觸孔(contact?vias)，而且可接著在這些開口內填入導電材料以在其內形成導電接觸物(conductive?contacts)或導電介層物(contact?vias)。

然而在前述半導體裝置內開口的形成方法中，仍存在有需要被解決的部分問題。舉例來說，由于阻劑層內通常形成具有傾斜側壁輪廓的開口，因而形成于阻劑層內的欲轉移至介電層內開口的開口的特征尺寸(critical?dimension，CD)可能不準確，以致于形成于介電層內的開口的特征尺寸可能不同于形成于阻劑層內的開口的特征尺寸。最后，形成于介電層內如導電接觸物的功能將會受到影醒，且包括上述導電接觸物的半導體裝置的可靠度與良率也會受到影響。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種半導體裝置內開口的形成方法，以解決上述現有技術的問題。

依據一實施例，本發明提供了一種半導體裝置內開口的形成方法，包括：

提供半導體基板，該半導體基板具有依序形成于其上的氧化硅層、多晶硅層與氮化硅層；圖案化該氮化硅層，在該氮化硅層內形成第一開口，其中該第一開口露出了該多晶硅的表面；施行第一蝕刻程序，使用包括溴化氫、氧氣及氟碳化合物(CxFy)的蝕刻氣體以在該多晶硅層內形成第二開口，其中鄰近于該第二開口的該多晶硅層的側壁大體垂直于該氧化硅層的頂面，其中該氟碳化合物內的x約介于1-5且y約介于2-8；移除該氮化硅層；以及施行第二蝕刻程序，在該第二開口所露出的該氧化硅層內形成第三開口。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖作詳細說明。

附圖說明

圖1-3為一系列剖面圖，顯示了依據本發明一實施例的一種半導體裝置內開口的形成方法；以及

圖4-6為一系列剖面圖，顯示了依據本發明一實施例的一種半導體裝置內開口的形成方法。

主要組件符號說明

100～半導體基板；

101～第一介電層；

102～第二介電層；

104～第三介電層；

106～蝕刻程序；

108～蝕刻程序；

110～蝕刻程序；

200～半導體基板；

201～第一介電層；

202～第二介電層；

204～第三介電層；

206～蝕刻程序；

208～蝕刻程序；

210～蝕刻程序；

OP1、OP2、OP3開口；

OP4、OP5、OP6～開口；

α1～夾角；

α2～夾角。

具體實施方式

圖1-3為一系列剖面圖，顯示了依據本發明一實施例的一種半導體裝置內開口的形成方法。在此，上述方法為發明人所知悉的方法且用作比較例，借以解說發明人所發現的問題，而并非用于限定本發明。