[發明專利]絕緣體上硅硅片及浮體動態隨機存儲器單元的制造方法

有效

• 申請號: 201110256001.9
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102969268A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種絕緣體上硅硅片的制造方法，包括如下步驟：

采用熱氧化方法，在第一硅片表面形成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜底部的第一硅片部分形成襯底；

對第一硅片采用一氧化氮退火工藝，在二氧化硅薄膜和襯底的界面之間形成更多的懸掛鍵；

采用注入方法對第一硅片進行氫離子注入，在二氧化硅薄膜下方的襯底中形成富含氫離子的埋層；

在第一硅片的二氧化硅薄膜上鍵和第二硅片；

對鍵合后的第一硅片和第二硅片熱處理，使得第一硅片的襯底從富含氫離子的埋層處剝離，從而形成絕緣體上硅硅片，其由上至下依次包括第二硅片以及與第二硅片鍵合的第一硅片部分；

在采用如上方法制備的絕緣體上硅硅片上制備后續工藝可以使用的絕緣體上硅硅片。

2.根據權利要求1所述的絕緣體上硅硅片的制造方法，其特征在于：在所述一氧化氮退火工藝中，氮原子會穿過二氧化硅薄膜到達二氧化硅薄膜與襯底的界面處，并在該界面處形成更多的懸掛鍵。

3.一種浮體動態隨機存儲器單元的制造方法，其特征在于，包括：

采用如權利要求1所述的方法制作絕緣體上硅硅片；

在所述絕緣體上硅硅片上制作PMOS結構的浮體動態隨機存儲器單元。