[發明專利]阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片無效
| 申請號: | 201110255822.0 | 申請日: | 2011-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102324605A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 郝敏 | 申請(專利權)人: | 蘇州市新誠氏電子有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/22 | 分類號: | H01P1/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻抗 50 氮化 陶瓷 20 負載 | ||
技術領域
本發明涉一種氮化鋁陶瓷基板負載片,特別涉及一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片。?
背景技術
氮化鋁陶瓷基板負載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率,如果不能承受要求的功率,負載就會燒壞,可能導致整個設備燒壞。目前大多數通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率,要求基本的尺寸越來越小,而需要吸收的功率越來越大,產品的特性也就是VSWR(駐波比)要越小越好,市場基礎需要滿足1.25∶1以內.隨著頻段的增高,產品的VSWR也就會越高.目前國內的負載片VSWR一般都是在3G以內達到要求,有少數能達到3G,但是隨著通信網絡的不斷的發展,對頻段的要求越來越高,所以尺寸越小,能達到的頻段越高,是發展的方向.?
發明內容
針對上述現有技術的不足,本發明要解決的技術問題是提供一種能夠承受20W的功率,駐波需要能滿足目前3G需求的小尺寸氮化鋁陶瓷基板負載片。?
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:?
一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片,其包括一5*2.5*1mm的氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層,所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線,所述導線連接所述電阻形成負載電路,所述負載電路的?接地端與所述背導層電連接,所述電阻上印刷有玻璃保護膜。?
優選的,所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。?
優選的,所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成,所述電阻由電阻漿料印刷而成。
上述技術方案具有如下有益效果:該結構的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片具有良好的VSWR性能,在5*2.5*1mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到20W,同時使其特性達到了3G,滿足了時常尺寸小,特性好的要求,使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣,也更加能夠與設備進行良好的匹配。?
上述說明僅是本發明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發明的技術手段,并可依照說明書的內容予以實施,以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發明的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。?
附圖說明
圖1為本發明實施例的結構示意圖。?
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。?
如圖1所示,該阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片包括一5*2.5*1mm的氮化鋁基板1,氮化鋁基板1的背面印刷有背導層,氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導線2,導線2連接電阻3形成負載電路,負載電路的接地端與背導層通過銀漿電連接,從而使負載電路接地導通。背導層及導線2由導電銀漿印刷而成,電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護膜4。導線2及玻璃保護膜4的上表面還印刷有一層黑色保護膜5。?
該結構的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片具有良好的VSWR性能,在5*2.5*1mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到20W,同時使其特性達到了3G,滿足了時常尺寸小,特性好的要求,使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣,也更加能夠與設備進行良好的匹配。據檢測該氮化鋁陶瓷基板負載片能承受的功率非常穩定,能夠完全達到通信期間吸收所需要功率的要求,?
以上對本發明實施例所提供的一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板20瓦負載片進行了詳細介紹,對于本領域的一般技術人員,依據本發明實施例的思想,在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內容不應理解為對本發明的限制,凡依本發明設計思想所做的任何改變都在本發明的保護范圍之內。?
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