[發明專利]減少水痕缺陷的晶片清洗方法及半導體器件制造方法

無效

• 申請號: 201110255768.X
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102969221A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 徐友峰;毛智彪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C11D10/02;B08B3/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種減少水痕缺陷的晶片清洗方法，包括：

采用氫氟酸溶液清洗晶片；

采用去離子水清洗所述晶片；

對所述晶片進行干燥處理；

其特征在于，所述氫氟酸溶液和/或去離子水中添加了表面活性劑。

2.如權利要求1所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中添加了表面活性劑，所述去離子水中添加了異丙醇溶液。

3.如權利要求2所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中添加的表面活性劑的體積比為0.05％～0.5％，溫度為23℃～30℃。

4.如權利要求2所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去離子水中添加的異丙醇溶液的體積比為0.05％～5％，溫度為23℃～30℃。

5.如權利要求1所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中未添加表面活性劑，所述去離子水中添加了表面活性劑。

6.如權利要求5所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去離子水中添加的表面活性劑的體積比為0.05％～0.5％，溫度為23℃～30℃。

7.如權利要求5所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用添加了表面活性劑的去離子水清洗所述晶片之后，對所述晶片進行干燥處理之前，還包括：采用去離子水清洗所述晶片，所述去離子水中添加了異丙醇溶液。

8.如權利要求7所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去離子水中添加的異丙醇溶液的體積比為0.05％～5％，溫度為23℃～30℃。

9.如權利要求1所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液和去離子水中均添加了表面活性劑。

10.如權利要求9所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中添加的表面活性劑的體積比為0.05％～0.5％，溫度為23℃～30℃。

11.如權利要求9所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去離子水中添加的表面活性劑的體積比為0.05％～0.5％，溫度為23℃～30℃。

12.如權利要求9所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用添加了表面活性劑的去離子水清洗晶片之后，對所述晶片進行干燥處理之前，還包括：采用去離子水清洗所述晶片，所述去離子水中添加了異丙醇溶液。

13.如權利要求12所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去離子水中添加的異丙醇溶液的體積比為0.05％～5％，溫度為23℃～30℃。

14.如權利要求1至13中任意一項所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用異丙醇蒸氣對所述晶片進行干燥處理。

15.如權利要求1至13中任意一項所述的減少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用氫氟酸溶液清洗晶片之前，還包括：

采用SC1清洗液清洗晶片；

對所述晶片進行QDR處理；

采用SC2清洗液清洗晶片；

再次對所述晶片進行QDR處理。

16.一種半導體器件制造方法，包括：

提供一晶片；

采用如權利要求1～15中任意一項所述的方法清洗所述晶片；

在所述晶片上生長外延硅或外延鍺硅。