[發明專利]半導體器件及其制作方法

無效

• 申請號: 201110255756.7
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102969269A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 毛智彪;胡友存
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

在半導體襯底上形成介質層；

刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度；

在所述冗余金屬槽和金屬導線槽內以及介質層上沉積金屬層；以及

進行化學機械研磨工藝直至暴露出所述介質層的表面，以形成冗余金屬和金屬導線，所述冗余金屬的高度小于所述金屬導線的高度。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

刻蝕所述介質層形成冗余金屬槽；以及

刻蝕所述介質層形成金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

刻蝕所述介質層形成冗余金屬槽和通孔；

刻蝕所述介質層以在所述通孔的位置形成金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述冗余金屬槽和通孔利用同一刻蝕步驟形成。

5.如權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述冗余金屬槽和通孔利用兩次刻蝕步驟形成。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

在所述介質層上形成硬掩膜層；

刻蝕所述硬掩膜層和介質層，以形成硬掩膜層槽和冗余金屬槽；

刻蝕所述介質層以在所述硬掩膜層槽的位置形成通孔；

刻蝕所述介質層以在所述硬掩膜層槽的位置形成金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，先形成所述硬掩膜層槽，然后再形成所述冗余金屬槽。

8.如權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，先形成所述冗余金屬槽，然后再形成所述硬掩膜層槽。

9.如權利要求1至8中任意一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述介質層為低k介質層。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底上的介質層；

形成于所述介質層中的冗余金屬和金屬導線，所述冗余金屬的高度小于所述金屬導線的高度。