[發明專利]合成石英玻璃基板的處理

有效

• 申請號: 201110255499.7
• 申請日: 2011-06-17
• 公開（公告）號: CN102314102A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 松井晴信;長谷川良平;竹內正樹
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38;G03F7/42
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 任宗華

技術領域

本發明涉及一種涂有抗蝕劑膜和任選的保護膜的合成石英玻璃基板。本發明更特別涉及一種通過剝離而非在溶劑中溶解來從基板上除去抗蝕劑膜和任選的保護膜的方法。

背景技術

在半導體光掩模和納米壓印光刻技術中，需要從基板上完全除去抗蝕劑膜和其它膜，以便形成低缺陷、精細的圖案。在該工藝過程中，在其上形成抗蝕劑膜和任選的保護膜后，使用具有轉印圖案薄膜的合成石英玻璃基板。該抗蝕劑膜和保護膜必須從基板上完全除去，使得基板上不留有殘留物。

在現有技術中，通過利用包含有能夠溶解膜組分的反應物的合適溶劑溶解的方法，從其上涂覆有抗蝕劑膜和保護膜的基板上除去該膜層。當將基板從該溶劑中拉出時，其中溶解有有機物的溶劑殘留在基板表面，留下二次污染的風險。

于是更希望是從基板表面剝離該膜，而非在溶劑中溶解基板上的膜。已提出了采用臭氧水剝離抗蝕劑膜的方法。例如，WO?2007/138747公開了一種通過以具有一定臭氧濃度的臭氧水進行處理以從掩模基板剝離抗蝕劑膜的方法。

但該方法一直到抗蝕劑膜從基板上剝離而要花費長的時間。由于增加的工藝時間這一問題，目前該方法是工業上所不可接受的。為了利用具有高臭氧濃度的臭氧水進行處理，需要配備強化的臭氧發生器和關聯設備，由此增加了資金投入。這導致由產品的價格反映出的生產成本增加，這是供需雙方都不希望的。

引用文獻列表

專利文獻1：WO?2007/138747

發明內容

為了從基板上除去基于有機物的膜，現有技術的方法是如上所述溶解該膜。本發明的一個目的是提供一種通過從基板上剝離該膜而非將其溶解，來除去在合成石英玻璃基板上的膜的方法，其具有處理精確、間歇時間短和無二次污染的優點。

發明人發現，當將涂有抗蝕劑膜和任選的保護膜的合成石英玻璃基板浸入含萜烯的溶劑并在其中振蕩時，基板上的膜中有裂紋形成，以致該膜可以迅速并容易地剝離。通過進一步用水沖洗該基板，可完全除去任何殘留物。該方法可容易地引入使用光掩模或納米壓印光刻技術的半導體制造工藝中。

本發明提供了一種用于處理其上涂覆有抗蝕劑膜的合成石英玻璃基板的方法，該方法包括以下步驟：將涂膜基板浸入其中溶解有萜烯的溶劑，直到該抗蝕劑膜基本上剝離或脫除，并用水沖洗該基板。

最常用的萜烯是檸檬烯。該抗蝕劑膜主要由聚降冰片烯樹脂、聚羥基苯乙烯樹脂或酚醛清漆樹脂組成。

該基板可進一步具有涂覆于抗蝕劑膜上的保護膜。典型地，保護膜主要由松香和/或其衍生物組成。

發明有益效果

該方法可從用于半導體光掩膜和納米壓印光刻技術的基板上完全除去抗蝕劑膜。甚至當抗蝕劑膜覆蓋有保護膜時，可同時除去這些膜層。由于是剝離或脫除所述抗蝕劑膜和保護膜，代替在溶劑中溶解抗蝕劑膜和保護膜中的有機組分，因此可容易地回收不需要的膜組分，并且用于剝離膜的溶劑可以使用相當長的時間。改進了除去抗蝕劑膜和保護膜的能力和除去膜所花費的間歇時間。

具體實施方式

本發明的方法是用于處理合成石英玻璃基板，該基板上涂覆有抗蝕劑膜，并任選地在抗蝕劑膜上進一步涂覆有保護膜。可選擇在半導體光掩模和納米壓印技術中所用的那些基板。

可適當選擇基板的尺寸。由于將基板浸入溶劑中并振蕩，因此，考慮到基板本身的重量和用于容納基板的槽尺寸，優選基板具有一面積為100至100,000mm²，更優選為100至50,000mm²的表面。典型的是常應用于半導體光掩模的方形6025基板(152mm×152mm×6.35mm厚)，和圓形晶片，例如6英寸和8英寸直徑晶片。

形成于玻璃基板上且將從玻璃基板上剝離的抗蝕劑膜，例如主要由以下樹脂組成：聚降冰片烯樹脂和聚羥基苯乙烯樹脂，這些樹脂是用于準分子激光光刻技術的抗蝕劑組合物中的基礎樹脂；或者酚醛清漆樹脂，該樹脂是用于i-和g-線光刻技術的抗蝕劑組合物中的基礎樹脂。優選這些樹脂是因為它們的結構中具有C＝C雙鍵，并且可能與萜烯相互作用。通過涂覆抗蝕劑組合物和為了烘烤的加熱處理，可在玻璃基板上形成抗蝕劑膜。該膜厚度、烘烤的溫度和時間可依據抗蝕劑組合物的種類來適當選擇。