[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201110254765.4
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102386147A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 右田達夫;江澤弘和;山下創一;志摩真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488;H01L21/768
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

形成了布線及焊盤電極的半導體基板；

在所述半導體基板上形成的再布線；

比所述再布線更寬的表面層。

2.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述再布線相對于所述表面層的蝕刻選擇比為1以上。

3.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述再布線的材料為Cu，所述表面層的材料為從Mn、Ta、Ni、Zn、Cr、Co、Sn及Pb中選擇的至少一個。

4.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述再布線的頂寬度比底寬度狹窄。

5.權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述表面層的寬度比所述再布線的底寬度更寬。

6.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述半導體基板形成了集成電路。

7.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，具備：

以覆蓋所述布線及焊盤電極的方式在所述半導體基板上形成的保護膜；

在所述保護膜形成的使所述焊盤電極露出的第1開口部；

在所述保護膜形成的使所述布線的一部分露出的第2開口部。

8.權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，具備：

在所述保護膜上形成的第1緩沖層；

在所述第1緩沖層形成的、經由所述第1開口部使所述焊盤電極露出的第3開口部；

在所述第1緩沖層形成的、經由所述第2開口部使所述布線的一部分露出的第4開口部。

9.權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

所述保護膜是無機絕緣體，所述第1緩沖層是樹脂。

10.權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述樹脂從聚酰亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂及苯酚系樹脂中選擇。

11.權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：

在所述第1緩沖層和所述再布線之間形成的第1基底阻擋金屬膜。

12.權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述再布線具備：

經由所述第1開口部及所述第3開口部與所述焊盤電極連接的第1再布線；

經由所述第2開口部及所述第4開口部與所述焊盤電極連接的第2再布線；

在所述第1緩沖層上形成的第3再布線。

13.權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，具備：

在所述第1再布線、所述第2再布線及所述第3再布線上形成的第2緩沖層；

在所述第2緩沖層形成的、使所述第1再布線露出的第5開口部。

14.權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：

經由所述第5開口部與所述第1再布線的表面層連接的突出電極。

15.權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

所述突出電極是合金焊接層組成的。

16.權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備在所述第2緩沖層和所述突出電極之間形成的第2基底阻擋金屬膜。

17.權利要求16所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2緩沖層是樹脂。

18.權利要求17所述的半導體裝置，其特征在于，

所述樹脂從聚酰亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂及苯酚系樹脂中選擇。

19.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體基板上形成基底阻擋金屬膜的工序；

在所述基底阻擋金屬膜上形成具有開口部的光刻膠圖形的工序；

在所述基底阻擋金屬膜上形成再布線的工序；

在所述再布線上形成表面層的工序；

通過蝕刻所述再布線的側面使其寬度比所述表面層更狹窄的工序。

20.權利要求19所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過在蝕刻所述再布線的側面的同時蝕刻所述基底阻擋金屬膜，除去所述再布線的周圍的所述基底阻擋金屬膜。