[發(fā)明專利]一種液體噴頭及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110254364.9
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102950897A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周毅;李越
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海納思達電子科技有限公司
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14;B41J2/045
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 金輝

1.一種液體噴頭，包括：

一個硅基板；

設(shè)置在所述硅基板表面的液體腔室；

設(shè)置在所述液體腔室內(nèi)部一端固定在所述的硅基板上，另一端是活動端的壓電元件；

設(shè)置在所述硅基板上的供墨通道；

和與所述液體腔室連通的噴嘴孔；

其特征是，所述液體腔室由設(shè)置在所述硅基板表面上的多個液體腔室薄膜層形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴頭，其特征是，所述硅基板和壓電元件之間還設(shè)置有絕緣膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴頭，其特征是，所述硅基板對應(yīng)所述壓電元件的下方還設(shè)置有凹部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴頭，其特征是，所述壓電元件由設(shè)置在所述硅基板表面上的多個壓電元件薄膜層形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液體噴頭，其特征是，所述壓電元件表面設(shè)置有絕緣保護層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體噴頭，其特征是，所述絕緣保護層的材料為碳化硅或氮化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的液體噴頭，其特征是，所述壓電元件由下至上包括下電極、壓電層和上電極。?

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體噴頭，其特征是，所述壓電元件表面設(shè)有振動板。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液體噴頭，其特征是，所述振動板的材料為氧化鋯(ZrO2)或氧化鈦(TiOx)。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體噴頭，其特征是，所述壓電元件活動端部分與硅基板之間有間隙。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體噴頭，其特征是，所述壓電元件活動端部分與所述噴嘴孔薄膜層之間有間隙。

12.根據(jù)如權(quán)利要求1所述液體噴頭的制造方法，包括如下步驟：

一、在硅基板上形成壓電元件；

二、在所述硅基板和壓電元件上面設(shè)置多個液體腔室薄膜層并形成液體腔室；

三、在所述液體腔室一個表面形成與所述液體腔室連通的噴嘴孔；

四、在硅基板上設(shè)置供墨通道。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述液體噴頭的制造方法，其特征是，所述步驟一包括以下步驟：(一)、在所述硅基板上形成絕緣膜；(二)在絕緣膜表面上形成壓電元件。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述液體噴頭的制造方法，其特征是，在所述步驟一包括以下步驟：A、在硅基板上形成凹部；B、用填充材料來填平凹部；C、在硅基板上填平凹部位置處的上部形成壓電元件；在所述步驟一之后還進行以下步驟：a、洗去所述的填充?材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述液體噴頭的制造方法，其特征是，在所述步驟B與C之間還進行以下步驟：在所述填平凹部的硅基板上形成絕緣膜。

16.根據(jù)權(quán)利要求12或13或14或15所述液體噴頭的制造方法，其特征是，所述步驟一中所述壓電元件的形成方法為在所述硅基板表面上設(shè)置多個壓電元件薄膜層形成所述的壓電元件。

17.根據(jù)權(quán)利要求12或13或14或15所述液體噴頭的制造方法，其特征是，在所述步驟二之前還進行以下步驟：在所述壓電元件表面設(shè)置絕緣保護膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述液體噴頭的制造方法，其特征是，在所述步驟二之前還進行以下步驟：在所述壓電元件表面設(shè)置振動板。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述液體噴頭的制造方法，其特征是，所述的填充材料為多晶硅或PSG。?