[發明專利]在半導體管芯和載體上形成粘合材料的方法和半導體器件

有效

• 申請號: 201110254325.9
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102386108A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: R.A.帕蓋拉
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/58;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

1.一種制備半導體器件的方法，包含：

提供載體；

將多個半導體管芯安裝到載體；

在半導體管芯和載體的一部分上面沉積粘合材料以固定半導體管芯到載體；

在半導體管芯和載體上面沉積密封劑，其中粘合材料減小密封期間半導體管芯相對于載體的偏移；

去除載體；以及

在半導體管芯和密封劑上面形成互連結構。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括去除粘合材料。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在半導體管芯的側面上面和載體的表面上面沉積粘合材料。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在半導體管芯的拐角上面沉積粘合材料。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括在半導體管芯的側面上面沉積粘合材料。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括在半導體管芯的周界附近沉積粘合材料。

7.一種制備半導體器件的方法，包含：

提供載體；

將半導體管芯安裝到載體；

在半導體管芯和載體的一部分上面沉積粘合材料以固定半導體管芯到載體；

在半導體管芯和載體上面沉積密封劑；

去除載體；以及

在半導體管芯和密封劑上面形成互連結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其中粘合材料減小密封期間半導體管芯相對于載體的偏移。

9.根據權利要求7所述的方法，還包括去除粘合材料。

10.根據權利要求7所述的方法，還包括在半導體管芯的側面上面和載體的表面上面沉積粘合材料。

11.根據權利要求7所述的方法，還包括在半導體管芯的拐角上面沉積粘合材料。

12.根據權利要求7所述的方法，還包括在半導體管芯的側面上面沉積粘合材料。

13.根據權利要求7所述的方法，還包括在半導體管芯的周界附近沉積粘合材料。

14.一種制備半導體器件的方法，包含：

提供載體；

將半導體管芯安裝到載體；

在半導體管芯和載體上面沉積粘合材料；以及

在半導體管芯和載體上面沉積密封劑，其中粘合材料減小在沉積密封劑時半導體管芯相對于載體的偏移。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括：

去除載體；以及

在半導體管芯和密封劑上面形成互連結構。

16.根據權利要求14所述的方法，還包括去除粘合材料。

17.根據權利要求14所述的方法，還包括在半導體管芯的側面上面和載體的表面上面沉積粘合材料。

18.根據權利要求14所述的方法，還包括在半導體管芯的拐角上面沉積粘合材料。

19.根據權利要求14所述的方法，還包括在半導體管芯的側面上面沉積粘合材料。

20.根據權利要求14所述的方法，還包括在半導體管芯的周界附近沉積粘合材料。

21.一種半導體器件，包含：

半導體管芯；

接觸半導體管芯的粘合材料；

沉積在半導體管芯和載體上面的密封劑；以及

在半導體管芯和密封劑上面形成的互連結構。

22.根據權利要求21所述的半導體器件，其中粘合材料減小半導體管芯的偏移。

23.根據權利要求21所述的半導體器件，其中粘合材料沉積在半導體管芯的拐角上面。

24.根據權利要求21所述的半導體器件，其中粘合材料沉積在半導體管芯的側面上面。

25.根據權利要求21所述的半導體器件，其中粘合材料沉積在半導體管芯的周界附近。