[發明專利]存儲器和靈敏放大器

有效

• 申請號: 201110254260.8
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102385900A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種靈敏放大器，包括：

預充電單元，在位線預充電時，根據預充電控制信號對數據線節點進行充電；

位線調整單元，在位線預充電時，由所述數據線節點對位線節點進行充電，在位線預充電后，輸出位線電流；

其特征在于，所述位線調整單元包括電子開關、偏置電壓生成單元，以及具有第一端、第二端和控制端的調整晶體管，

所述電子開關，根據位線調整單元控制信號，在位線預充電時斷開，在位線預充電后導通，所述位線調整單元控制信號與所述預充電控制信號相位相反；

所述偏置電壓生成單元，在所述電子開關斷開時產生第一偏置電壓信號，在所述電子開關導通時產生第二偏置電壓信號；

所述調整晶體管的第一端連接所述數據線節點，第二端連接所述位線節點，控制端接收所述偏置電壓生成單元輸出的偏置電壓信號，所述調整晶體管在接收到第一偏置電壓信號時導通，在接收到第二偏置電壓信號時斷開。

2.如權利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于，所述偏置電壓生成單元包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的柵極接地，源極接電源，漏極連接所述第二PMOS管的源極；所述第二PMOS管的漏極接地，柵極作為所述偏置電壓生成單元的輸入端，連接所述電子開關的輸出端。

3.如權利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于，所述偏置電壓生成單元還包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極接地，源極接電源，漏極連接所述第二PMOS管的柵極。

4.如權利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于，所述電子開關包括反相器、第一NMOS管和第二NMOS管，所述反相器接收所述位線調整單元控制信號，輸出端連接所述第二NMOS管的柵極；所述第二NMOS管的源極耦接于所述第一NMOS管的漏極，漏極為所述電子開關的輸出端；所述第一NMOS管的柵極與漏極相連，源極接地。

5.如權利要求4所述的靈敏放大器，其特征在于，所述電子開關還包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的柵極連接所述反相器的輸入端，源極連接所述第二NMOS管的源極，漏極連接所述第一NMOS管的漏極。

6.一種存儲器，其特征在于，包括權利要求1至5任一項所述的靈敏放大器。