[發明專利]有機互補反相器及其制備方法無效
| 申請號: | 201110253912.6 | 申請日: | 2011-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102544051A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 王軍;朱慶平;劉昌和;胡玉磊;劉娜 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H03K19/0948;H01L51/40 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 上海大學 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 互補 反相器 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機互補反相器,其特征在于同一基板上由兩種不同類型的有機薄膜晶體管組成互補晶體管:N型晶體管和P型晶體管;P型晶體管是由一n型材料和一p型材料的異質結構成,N型晶體管由n型材料構成,兩個晶體管的n型材料共用;其中載流子耗盡-積累模型的p型有機異質結晶體管作為一個負載單元,另外一個載流子積累模型的n型有機薄膜晶體管作為驅動單元。
2.一種根據權利要求1所述的有機互補反相器,其特征在具體結構為在襯底(1)上依次為柵電極(2)和絕緣層(3);在絕緣層(3)上有p型材料生長的島狀結構,隨后整個絕緣層(3)上再長一層n型材料(5),最后有蒸鍍電極(6);或者是有先掩膜蒸鍍電極(6),掩模蒸發p型材料(4),隨后整個面有一層n型材料(5),再掩膜蒸鍍電極(6);或者是先整個面真空蒸發n型材料(5),再掩模蒸發p型材料(4)和電極(6),p型材料(4)作為電子注入層。
3.根據權利要求2所述的有機互補反相器,其特征在于所述襯底(1)材料可為硅片、玻璃、塑料或者陶瓷中任一種。
4.根據權利要求2所述的有機互補反相器,其特征在于所述的n型材料(5)為氟代酞菁銅(F16CuPc)、氟代酞菁鋅(F16ZnPc)、氟代酞菁鐵(F16FePc)、氟代酞菁鈷(F16CoPc)、氯代酞菁銅(Cl16CuPc)、氯代酞菁鋅(Cl16ZnPc)、氯代酞菁鐵(Cl16FePc)、氯代酞菁鈷(Cl16CoPc)、氟代六噻吩(DFH-6T)、氯代六噻吩(DClH-6T)、C60、3,4,9,10-苝四羧酸二酐(PTCDA),N,N’-二苯基-3,4,9,10-苝四羧酸二胺(DP-PTCDI)、四氰基二甲基醌(TCNQ)、1,4,5,8-萘四羧酸二酐(NTCDA)、1,4,5,8-萘四羧酸二胺(NTCDI)、11,11,12,12-四氰基二甲基萘醌(TCNNQ)、四甲基四硒代富瓦烯(TMTSF)中任選一種;所述的p型材料(4)為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鎳(NiPc)、酞菁鈷(CoPc)、自由酞菁(H2Pc)、酞菁鉑(PtPc)、酞菁鉛(PbPc)、并五苯(Pentacene)、并三苯、并四苯、紅熒烯、6P、BP2T、5,5’-二(2-萘基)-2,2’-二噻吩(NaT2)、5,5”-二(2-萘基)-2,2’:5’,2”-三噻吩(NaT3)、NaT4、5,5””-二(2-萘基)-2,2’:5’,2”:5”,2”’:5”’,2””-五噻吩(NaT5)、5,5””-二(2-萘基)-?2,2’:5’,2”:5”,2”’:5”’,2””:5””,2””-六噻吩(NaT6)、2,5-二(2-萘基)-[3,2-b]并二噻吩(NaTT2)、5,5’-二(2-硫茚基)-2,2’-二噻吩(TNT2)、5,5”-二(2-硫茚基)-2,2’:5’,2”-三噻吩(TNT3)、5,5”-二(2-硫茚基)-2,2’:5’,2”:5”,2’”-四噻吩(TNT4)、5,5”-二(2-硫茚基)-2,2’:5’,2”:5”,2’”:5”’,2””-五噻吩(TNT5)、2,5-二(2-硫茚基)-[3,2-b]并二噻吩(TNTT)、5,5’-二(2-硫茚基)-2,2’-二[3,2-b]并二噻吩(TNTT2)、5,5’-二(2-菲基)-2,2’-二噻吩(PhT2)、5,5’-二(2-菲基)-2,2’-二噻吩(PhT2)、5,5”-二(2-菲基)-2,2’:5’,2”-三噻吩(PhT3)、5,5”’-二(2-菲基)-2,2’:5’,2”:5”,2’”-四噻吩(PhT4)、2,5-(2-菲基)-[3,2-b]并二噻吩(PhTT)、5,5’-二(2-菲基)-2,2’-二[3,2-b]并二噻吩(PhTT2)、聚吡咯(polypyrrolle,PP)、聚噻吩?(Polythiophene,PT)、聚三六甲基噻吩(P3HT)、聚苯酚?(Poly(p,p’-biphenol),PBP)、聚2,5噻吩乙炔(poly(2,5-thienylenevinylene),PTV)中的任選一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





