[發明專利]存儲元件和存儲器件

有效

• 申請號: 201110253669.8
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN102403038A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 山根一陽;細見政功;大森廣之;別所和宏;肥后豐;內田裕行;淺山徹哉
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;H01L43/08;H01L43/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種存儲元件，包括：

存儲層，具有垂直于膜面的磁化并且其磁化方向對應于信息而改變；

磁化固定層，具有垂直于所述膜面且成為存儲在所述存儲層中的信息的基準的磁化；以及

絕緣層，設置在所述存儲層和所述磁化固定層之間并由非磁性層構成，

其中，沿具有所述存儲層、所述絕緣層和所述磁化固定層的層結構的層壓方向注入自旋極化電子，從而磁化方向改變，并對所述存儲層執行信息的記錄，以及

所述存儲層接收的有效抗磁場的強度小于所述存儲層的飽和磁化量。

2.根據權利要求1所述的存儲元件，

構成所述存儲層的鐵磁材料是Co-Fe-B。

3.根據權利要求2所述的存儲元件，

其中，所述Co-Fe-B的組成是(Co_x-Fe_y)_100-z-B_z，

這里，0≤Co_x≤40，

60≤Fe_y≤100且

0＜B_z≤30。

4.根據權利要求2所述的存儲元件，

其中，所述Co-Fe-B的組成是(Co_x-Fe_y)_100-z-B_z，

這里，0≤Co_x≤40，

60≤Fe_y≤100且

20＜B_z≤40。

5.一種存儲器件，包括：

存儲元件，通過磁性材料的磁化狀態保持信息；以及

相互交叉的兩種配線，

其中，所述存儲元件包括，

存儲層，具有垂直于膜面的磁化且其磁化方向對應于信息而改變，

磁化固定層，具有垂直于所述膜面且成為存儲在所述存儲層中的信息的基準的磁化，以及

絕緣層，設置在所述存儲層和所述磁化固定層之間并由非磁性層構成，

沿具有所述存儲層、所述絕緣層和所述磁化固定層的層結構的層壓方向注入自旋極化電子，從而磁化方向改變，并對所述存儲層執行信息的記錄，

所述存儲層接收的有效抗磁場的強度小于所述存儲層的飽和磁化量，

所述存儲元件設置在所述兩種配線之間，以及

通過所述兩種配線，所述層壓方向上的電流流入所述存儲元件)，從而將自旋極化電子注入所述存儲元件。