[發明專利]波長轉換結構及其制造方法以及發光裝置

有效

• 申請號: 201110253482.8
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102956800A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 謝明勛;黃苡叡;洪盟淵;許明祺
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種波長轉換結構，包含：

第一熒光粉層，包括多個第一熒光粉顆粒；以及

第二熒光粉層位于該第一熒光粉層上，包括多個第二熒光粉顆粒，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑不相同于該第一熒光粉顆粒的平均粒徑。

2.如權利要求1所述的波長轉換結構，還包含導電基板于該第一熒光粉層的一側。

3.如權利要求1所述的波長轉換結構，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑大于該第一熒光粉顆粒的平均粒徑。

4.如權利要求1所述的波長轉換結構，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑和該第一熒光粉顆粒的平均粒徑比為3∶1至5∶1之間。

5.如權利要求1所述的波長轉換結構，其中該第一熒光粉顆粒的粒徑分布范圍介于225-275納米，及/或其中該第二熒光粉顆粒的粒徑分布范圍介于740-910納米。

6.如權利要求1-5中任一項所述的波長轉換結構，其中，該第一熒光粉層和該第二熒光粉層包含黃色熒光粉。

7.如權利要求6所述的波長轉換結構，還包括有機化合物或無機化合物填充于該第一熒光粉顆粒及/或該第二熒光粉顆粒之間，其中該有機化合物及無機化合物的折射率約介于1.45至2。

8.如權利要求1所述的波長轉換結構，其中該第一熒光粉層的厚度約為該第一熒光粉顆粒的平均粒徑的1.5至4倍。

9.一種波長轉換結構的制造方法，包含：

形成第一熒光粉層，包括多個第一熒光粉顆粒；

形成第二熒光粉層于該第一熒光粉層之上，包括多個第二熒光粉顆粒，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑不相同于該第一熒光粉顆粒的平均粒徑。

10.如權利要求9所述的波長轉換結構的制造方法，還包含基板于該第一熒光粉層的一側。

11.如權利要求10所述的波長轉換結構的制造方法，其中，該第一及/或該第二熒光粉層可利用電泳法或重力沉積法形成于該基板之上。

12.如權利要求9所述的波長轉換結構的制造方法，還包括形成有機化合物或無機化合物于該第一熒光粉顆粒及/或該第二熒光粉顆粒之間。

13.如權利要求12所述的波長轉換結構的制造方法，其中該有機化合物包含硅膠，其中該硅膠系利用填膠法形成。

14.一種發光裝置，包含：

載板；

發光元件，設置于該載板之上；

波長轉換結構，位于該發光元件上，該波長轉換結構包含：

第一熒光粉層，包括多個第一熒光粉顆粒；以及

第二熒光粉層，位于該第一熒光粉層上，包括多個第二熒光粉顆粒，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑不相同于該第一熒光粉顆粒的平均粒徑。

15.如權利要求14所述的發光裝置，還包含導電基板于該第一熒光粉層的一側。

16.如權利要求14所述的發光裝置，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑大于該第一熒光粉顆粒的平均粒徑。

17.如權利要求14所述的發光裝置，其中該第二熒光粉顆粒的平均粒徑和該第一熒光粉顆粒的平均粒徑比為3∶1至5∶1之間。

18.如權利要求14所述的發光裝置，其中該第一熒光粉顆粒的粒徑分布范圍介于225-275納米，及/或該第二熒光粉顆粒的粒徑分布范圍介于740-910納米。

19.如權利要求14-18中任一項所述的發光裝置，其中該第一熒光粉層和該第二熒光粉層包含黃色熒光粉。

20.如權利要求19所述的發光裝置，還包括有機化合物或無機化合物填充于該第一熒光粉顆粒及/或該第二熒光粉顆粒之間，其中該有機化合物或無機化合物的折射率約介于1.45至2。

21.如權利要求18所述的發光裝置，其中該第一熒光粉層的厚度約為該第一熒光粉顆粒平均粒徑的1.5至4倍。