[發(fā)明專利]導(dǎo)電高分子材料及包括其的電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110253425.X
• 申請(qǐng)日: 2011-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN102321343A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣銘;楊振毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 固安福愛電子有限公司
• 主分類號(hào): C08L65/00
• 分類號(hào): C08L65/00;C08G61/12;C08K5/42;H01G9/15
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

1.一種導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，其包括導(dǎo)電聚合物以及與所述導(dǎo)電聚合物摻雜的D(+)-10-樟腦磺酸根離子，所述導(dǎo)電聚合物是由聚合單體經(jīng)氧化聚合制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述導(dǎo)電高分子材料中所述D(+)-10-樟腦磺酸根離子的摻雜度為40％～65％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述導(dǎo)電高分子材料中所述D(+)-10-樟腦磺酸根離子是以D(+)-10-樟腦磺酸鐵的形式引入到反應(yīng)體系中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述D(+)-10-樟腦磺酸鐵的引入量與所述聚合單體的加入量的摩爾比為1.3∶1～2.2∶1。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述導(dǎo)電高分子材料中所述D(+)-10-樟腦磺酸根離子是以D(+)-10-樟腦磺酸鐵與D(+)-10-樟腦磺酸的混合溶液的形式引入到反應(yīng)體系中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述D(+)-10-樟腦磺酸的加入量為聚合單體與所述D(+)-10-樟腦磺酸鐵總質(zhì)量的1％～5％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述D(+)-10-樟腦磺酸的加入量為所述聚合單體與所述D(+)-10-樟腦磺酸鐵總質(zhì)量的2％～3％。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述D(+)-10-樟腦磺酸鐵是以3水結(jié)晶，6水結(jié)晶或9水結(jié)晶的D(+)-10-樟腦磺酸鐵形式加入。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電高分子材料，其特征在于，所述聚合單體為EDOT，或者為具有以下結(jié)構(gòu)式(1)、(2)和(3)中結(jié)構(gòu)的單體的混合物：

結(jié)構(gòu)式(1)?????????????結(jié)構(gòu)式(2)???????????結(jié)構(gòu)式(3)

其中，R為烷烴基。

10.一種電容器，其特征在于，所述電容器中包括上述權(quán)利要1-9中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子材料。