[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池片的擴(kuò)散制備工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110253355.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN102290492A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦超;蔣健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫賽晶太陽能有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;B41M1/12
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237
• 代理人: 賀翔

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技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高效晶體硅太陽電池片的擴(kuò)散制備工藝領(lǐng)。

背景技術(shù)

目前，高效晶體硅太陽能電池常用的擴(kuò)散制備工藝是：先在制絨清洗干凈后的硅片表面制備上一層致密的二氧化硅薄膜，然后用激光刻蝕設(shè)備對(duì)需要濃擴(kuò)的電極柵線區(qū)域進(jìn)行選擇性刻蝕開窗，濃擴(kuò)完畢后再去除硅片表面剩余部分的二氧化硅薄膜，對(duì)剩余部分進(jìn)行淡擴(kuò)散。用這種工藝方法制備的高效晶體硅太陽能電池步驟繁雜，工藝周期長且激光刻蝕設(shè)備價(jià)格昂貴，生產(chǎn)成本高，對(duì)人員操作要求高，只在一些有足夠資金基礎(chǔ)的大公司才能實(shí)現(xiàn)，不能被強(qiáng)調(diào)低成本的太陽能電池片企業(yè)所接受，其廣泛的工業(yè)化應(yīng)用受到了很大的限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供的一種新型的高效晶體硅太陽能電池片的擴(kuò)散制備工藝，采用絲網(wǎng)印刷方式從技術(shù)上解決目前高效晶體硅太陽電池成本高，生產(chǎn)周期長，設(shè)備昂貴的問題。

本發(fā)明所述的晶體硅太陽能電池片的擴(kuò)散制備工藝，包括對(duì)硅片正面的電極柵線進(jìn)行高濃度擴(kuò)散，而對(duì)剩余區(qū)域進(jìn)行低濃度擴(kuò)散，其特征在于具體步驟為：

1）在制絨清洗干凈后的硅片正面進(jìn)行低濃度摻雜，產(chǎn)生一層低濃度的擴(kuò)散層；

2）在擴(kuò)散層表面氧化上一層二氧化硅薄膜，該薄膜作為擴(kuò)散阻擋層；

3）在二氧化硅薄膜上采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將電極柵線圖案印在硅片正面，讓印刷上的漿料與二氧化硅薄膜腐蝕反應(yīng)進(jìn)行開窗；

4）將電極柵線區(qū)域腐蝕完的漿料清洗干凈，再對(duì)開窗的電極柵線區(qū)域進(jìn)行高濃度擴(kuò)散。

上述步驟3）中漿料中含15%—30%的氟化氫氨，印刷量為0.100g-0.150g/cm².

本發(fā)明提供的新型高效晶體硅太陽電池的擴(kuò)散制備工藝產(chǎn)出的太陽能電池片，短波響應(yīng)好，接觸電阻低，與激光刻蝕設(shè)備設(shè)備相比，采用的絲網(wǎng)印刷工藝，工藝成熟，人員熟練，設(shè)備成本低，工藝周期短，非常適用于要求低生產(chǎn)成本控制要求的太陽能企業(yè)的推廣。

附圖說明

????圖1是本發(fā)明的工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

?????以下結(jié)合圖1及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

1）在已經(jīng)制絨清洗干凈的硅片表面采用管式擴(kuò)散爐先進(jìn)行低濃度的摻雜，方阻在63Ω-70Ω；

2）摻雜完畢后在硅片的摻雜面熱氧化制備上一層二氧化硅薄膜，薄膜為深藍(lán)色，膜厚60nm-80nm；

3）在二氧化硅薄膜上采用絲網(wǎng)印刷工藝，印刷上電極柵線圖案，用氟化氫氨含量為15%的漿料對(duì)二氧化硅薄膜進(jìn)行腐蝕性開窗，漿料的印刷量在0.100g-0.150g?/cm²；

4）對(duì)開窗處得電極柵線區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，方阻在30Ω-35Ω。

實(shí)施例2：

1）在已經(jīng)制絨清洗干凈的硅片表面采用管式擴(kuò)散爐先進(jìn)行低濃度的摻雜，方阻在63Ω-70Ω；

2）摻雜完畢后在硅片的摻雜面熱氧化制備上一層二氧化硅薄膜，薄膜為深藍(lán)色，膜厚60nm-80nm；

3）在二氧化硅薄膜上采用絲網(wǎng)印刷工藝，印刷上電極柵線圖案，用氟化氫氨含量為30%的漿料對(duì)二氧化硅薄膜進(jìn)行腐蝕性開窗，漿料的印刷量在0.100g-0.150g?/cm²；

4）對(duì)開窗處得電極柵線區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，方阻在30Ω-35Ω。

實(shí)施例3：

1）在已經(jīng)制絨清洗干凈的硅片表面采用管式擴(kuò)散爐先進(jìn)行低濃度的摻雜，方阻在63Ω-70Ω；

2）摻雜完畢后在硅片的摻雜面熱氧化制備上一層二氧化硅薄膜，薄膜為深藍(lán)色，膜厚60nm-80nm；

3）在二氧化硅薄膜上采用絲網(wǎng)印刷工藝，印刷上電極柵線圖案，用氟化氫氨含量為25%的漿料對(duì)二氧化硅薄膜進(jìn)行腐蝕性開窗，漿料的印刷量在0.100g-0.150g?/cm²；

4）對(duì)開窗處得電極柵線區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，方阻在30Ω-35Ω。

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以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。