[發明專利]一種晶體硅太陽能電池片擴散層的刻蝕方法

無效

• 申請號: 201110253354.3
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102290491A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 秦超;蔣健
• 申請（專利權）人: 無錫賽晶太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 賀翔

1.一種晶體硅太陽能電池片擴散層的刻蝕方法，其特征在于包括以下步驟：

1）將已經擴散摻雜好的硅片放入管式熱氧化爐中，通過化學氣相沉積法在硅片的正面沉積上一層二氧化硅薄膜；

2）將硅片放在磷酸與硝酸的混合液中，使硅片與溶液充分反應，其中磷酸與硝酸的摩爾比為磷酸:硝酸=2-5:10；

3)將反應完的硅片放入氫氟酸溶液中，去掉硅片表面的二氧化硅薄膜層，然后用去離子水沖洗干凈即可。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池片擴散層的刻蝕方法，其特征在于步驟1）中沉積二氧化硅薄膜的厚度控制在50nm-70nm之間。

3.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池片擴散層的刻蝕方法，其特征在于步驟3）氫氟酸溶液的濃度在20%?。