[發明專利]一種厘米級純相BiFeO3單晶的制備方法有效
| 申請號: | 201110252660.5 | 申請日: | 2011-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN102953116A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發明(設計)人: | 陸俊;吳以成;傅佩珍;馮凱 | 申請(專利權)人: | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號: | C30B9/12 | 分類號: | C30B9/12;C30B29/24;C30B30/06 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周長興 |
| 地址: | 100080 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 厘米 級純相 bifeo sub 制備 方法 | ||
1.一種厘米級純相BiFeO3單晶的制備方法,使用高溫溶液震蕩選晶法控制其形核及生長過程,經過多輪升降溫,促使尺寸較小的晶核熔化而保留尺寸較大的晶核以最終獲得BiFeO3單晶;其制備步驟為:
a)將Fe2O3與Bi2O3兩種原料按照Fe2O3占總量摩爾比為16-18%的配方稱量混勻后放入晶體生長爐中;
b)晶體生長爐的升溫速率為20-40℃/h,將溫度升至825℃以上,并保溫;
c)以0.1-0.5℃/h的速率降溫,至熔體表面出現晶核時以0.1-0.5℃/h的速率升溫,至晶核減少至一個時再以0.1-0.5℃/h的速率降溫,至晶核數目增多時再以0.1-0.5℃/h的速率升溫,當晶核數目再次減少至一個時再以0.01-0.1℃/h的速率降溫維持BFO單晶的穩定生長,直至其生長停止;
d)晶體生長完全且完全凝固后以8-10℃/h的速率將晶體生長爐冷卻至室溫;
e)取出晶體清洗后即得到純相BiFeO3單晶。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其中,兩種原料研磨混勻后置于白銀或黃金坩堝放入晶體生長爐中。
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