[發明專利]多位/單元非揮發性內存的測試方法及多模式配置方法

無效

• 申請號: 201110252619.8
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102937929A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 黃漢龍;周銘宏
• 申請（專利權）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

技術領域

本發明涉及一種非揮發性內存，特別涉及一種多位/單元(multi-bit?per?cell)閃存的測試方法及多模式配置方法。

背景技術

閃存為一種非揮發性固態內存裝置，其能夠以電氣方式進行抹除及寫入。傳統閃存可在每一記憶單元內儲存單一位的信息，因而每一記憶單元具有兩種可能狀態。此種傳統閃存因此稱之為單位/單元(single-bit?per?cell)閃存。現今閃存可在每一記憶單元內儲存兩位或多位的信息，因而每一記憶單元具有兩種以上的可能狀態。此種閃存因此稱之為多位/單元(multi-bit?per?cell)閃存。

多位/單元閃存，例如三位/單元(3-bit?per?cell，3-bpc)閃存，通常含有缺陷或壞區塊(block)。即使這些壞區塊無法完全操作于3-bpc模式，但卻可能操作于2-bpc模式或1-bpc模式。因此，并不需要將具缺陷區塊的閃存芯片予以丟棄。藉由測試(sorting)方法，例如藉由寫入及讀取閃存，可決定具缺陷區塊的閃存是否可以操作于較低有效位模式。

圖1A顯示傳統三位/單元(3-bpc)閃存的區塊的頁寫入/讀取順序：

00h-＞01h-＞02h-＞03h-＞04h-＞05h-＞06h-＞07h-＞...BDh-＞BEh-＞BFh。

圖1B顯示傳統閃存的測試方法的流程圖。根據該流程，閃存進行3-bpc模式測試(步驟11)，2-bpc模式測試(步驟12)及1-bpc模式測試(步驟13)。在3-bpc模式測試中，對低位頁、中位頁及高位頁(亦即，00h-＞01h-＞02h-＞03h-＞04h-＞05h-＞...BDh-＞BEh-＞BFh)的所有192頁進行寫入及讀取。在2-bpc模式測試中，對低位頁及中位頁(亦即，00h-＞01h-＞02h-＞03h-＞04h-＞06h-＞07h-＞...BAh-＞BBh-＞BDh)的所有128頁進行寫入及讀取。在1-bpc模式測試中，對低位頁(亦即，00h-＞01h-＞03h-＞06h-＞...BAh)的所有64頁進行寫入及讀取。因此，低位頁總共進行了三次測試，且中位頁總共進行了兩次測試。

鑒于傳統方法無法有效且經濟地對閃存進行測試，因此亟需提出一種新穎機制，用以對多位閃存進行測試。

發明內容

鑒于上述，本發明實施例的目的之一在于提出一種多位/單元非揮發性內存(例如閃存)的測試方法。本實施例還提供一種多模式機制，用以配置一或多閃存芯片，使得經測試區塊可較佳地操作于個別的模式。

根據本發明實施例之一，多位/單元(multi-bit?per?cell)非揮發性內存的測試方法包含藉由寫入及讀取以測試一n位/單元(n-bpc)非揮發性內存，其包含多個m-bpc頁，其中m為1至n之間的正整數。如果m-bpc頁經測試失敗，則將失敗m-bpc頁所相應區塊計入(m-1)-bpc區塊，其中每一個m-bpc頁最多進行一次的寫入及讀取。當m等于1時，則0-bpc區塊對應至壞區塊。

根據本發明另一實施例，多位/單元非揮發性內存的多模式配置方法包含測試至少一n位/單元(n-bpc)非揮發性內存，以得到容量訊息；及根據容量訊息來配置該至少一非揮發性內存，使得該至少一非揮發性內存的區塊分別操作于不同模式，其具有不同的有效位/單元。

附圖說明

圖1A顯示傳統三位/單元(3-bpc)閃存的區塊的頁寫入/讀取順序。

圖1B顯示傳統閃存的測試方法的流程圖。

圖2顯示本發明實施例之多位/單元非揮發性內存的測試方法的流程圖。

圖3A顯示根據圖2流程的第一特定實施例。

圖3B例示圖3A的流程圖。

圖3C顯示圖3B的簡化流程圖。

圖3D顯示圖3A的頁寫入/讀取順序。

圖4A顯示根據圖2流程的第二特定實施例。

圖4B例示圖4A的流程圖。

圖4C顯示圖4B的簡化流程圖。

圖5A顯示根據圖2流程的第三特定實施例。

圖5B例示圖5A的流程圖。

圖6顯示根據圖2流程的第四特定實施例。

圖7例示多模式機制，用以配置一或多閃存芯片。

主要組件符號說明

11～13????步驟

21～27????步驟

31～38????步驟

401～405????步驟

411～415????步驟